[发明专利]半导体器件中侧墙的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件中侧墙的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01，在栅极上依次淀积第一介质膜和第二介质膜，量取第二介质膜淀积后的成膜厚度，与标准厚度规格相减，得到厚度调整值；

步骤S02，对第二介质膜进行主刻蚀；

步骤S03，对第二介质膜进行过刻蚀；

步骤S04，对第二介质膜进行调整刻蚀：根据该厚度调整值以及刻蚀速率，得到调整刻蚀的刻蚀时间，以该刻蚀时间对第二介质膜进行再次刻蚀，得到宽度符合标准的侧墙。

2.根据权利要求1所述的半导体器件中侧墙的制造方法，其特征在于：步骤S01采用光学测量仪实时量取第二介质膜厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件中侧墙的制造方法，其特征在于：步骤S02采用终点检测系统对刻蚀终点进行判断，步骤S03采用对第二介质膜高选择比的刻蚀介质进行刻蚀。

4.根据权利要求3所述的半导体器件中侧墙的制造方法，其特征在于：步骤S04采用化学刻蚀，并采用先进工艺控制系统（APC）对第二介质膜厚度的光学测量值进行实时监控，并实时对调整刻蚀的时间进行计算。

5.根据权利要求4所述的半导体器件中侧墙的制造方法，其特征在于：第二介质膜淀积后的厚度为W1，标准厚度为W0，厚度调整值为ΔW=W1-W0，调整刻蚀步骤的刻蚀速率为R，则步骤S04的调整刻蚀时间为t=ΔW/R。

6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体器件中侧墙的制造方法，其特征在于：该第一介质膜是氧化硅，第二介质膜是氮化硅。