[发明专利]Ti-Ta-Hf系铁基非晶合金薄带及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310215321.9 申请日: 2013-05-31
公开(公告)号: CN103334067A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 王军松 申请(专利权)人: 全椒君鸿软磁材料有限公司
主分类号: C22C45/02 分类号: C22C45/02;C22C33/04;B22D11/06
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 方琦
地址: 239500 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: ti ta hf 系铁基非晶 合金 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及磁性功能材料领域,特别涉及一种性能优良的铁基非晶态合金薄带及其制备方法,可广泛用于各种非晶薄带圆环材料。

背景技术

现有变压器磁芯多采用硅钢片制作,其虽然具有较高的饱和磁感(2.0T),但中频损耗大,能耗高。非晶合金开始用于变压器非晶薄带圆环材料,但其饱和磁感小于硅钢,应用受限,因此,开发一种具有高饱和磁感和低中频损耗的非晶合金薄带材料,是变压器非晶薄带圆环材料的研究重点。

发明内容

本发明的目的是提供一种Ti-Ta-Hf系铁基非晶合金薄带及其制备方法,其具有高饱和磁感和低中频损耗。

本发明提供了如下技术方案:

一种Ti-Ta-Hf系铁基非晶合金薄带,其特征在于:其组成各元素的原子百分比为:Ti8-10、Ta4-6、Hf1-2、Nb0.06-0.08、V0.2-0.4、Mo1.5-1.8、Ga1.2-1.4、Fe余量。

Ti-Ta-Hf系铁基非晶合金薄带的制备方法,包括按各元素原子百分比配料,加热到1200-1500℃,熔化并制备成熔融合金;在CO2 和N2混合气氛保护下,将熔融合金喷射到铜辊上快速急冷,得到非晶态合金薄带并卷绕成圆环;混合气氛的比例CO2 :N2=1:2-3;其特征在于:将得到的非晶薄带圆环放在第一热处理炉中,第一热处理炉中放置所述非晶薄带圆环的部分外加直流磁场,磁场大小40-50Oe;抽真空后至小于10Pa,再充氩气至0.4-0.5 MPa,以4-6℃/分钟速率,升温至320-340℃,保温30-45分钟;然后将非晶薄带圆环放在第二热处理炉中,抽真空后至小于10Pa,第二热处理炉中放置所述非晶薄带圆环的部分外加纵向脉冲磁场,频率为2-8Hz,磁场强度0.2-0.5T;以10-12℃/分钟速率,升温至400-480℃,保温20-30分钟;停止加热,待非晶薄带圆环冷却至45℃以下,从热处理炉取出。

本发明制备非晶带材与常规的非晶带材制备方法相似,本申请以Ti-Ta-Hf为基础掺杂材料,添加V、Mo等其它成分,优化热处理工艺,明显改善非晶合金带材的应力分配,使得本发明非晶合金材料具有优良的韧性、良好的塑性、优异的软磁性能和良好的非晶形成能力,可广泛应用于各种非晶薄带圆环材料。

具体实施方式

一种Ti-Ta-Hf系铁基非晶合金薄带,其组成各元素的原子百分比为:Ti9、Ta5、Hf1、Nb0.08、V0.4、Mo1.5、Ga1.2、Fe余量。

Ti-Ta-Hf系铁基非晶合金薄带的制备方法,包括按各元素原子百分比配料,加热到1200-1500℃,熔化并制备成熔融合金;在CO2 和N2混合气氛保护下,将熔融合金喷射到辊速为22-28m/s 铜辊上快速急冷,得到宽度为5±0.2mm、厚度为28±5μm 的非晶薄带。将非晶薄带卷绕成圆环,内径1厘米,外径2.5厘米;混合气氛的比例CO2 :N2=1:2;本发明依次进行以下步骤:

将得到的非晶薄带圆环放在第一热处理炉中,第一热处理炉中放置所述非晶薄带圆环的部分外加直流磁场,磁场大小40-50Oe;抽真空后至小于10Pa,再充氩气至0.4-0.5 MPa,以4-6℃/分钟速率,升温至320-340℃,保温30-45分钟;然后将非晶薄带圆环放在第二热处理炉中,抽真空后至小于10Pa,第二热处理炉中放置所述非晶薄带圆环的部分外加纵向脉冲磁场,频率为6Hz,磁场强度0.4-0.5T;以10-12℃/分钟速率,升温至460-480℃,保温20-25分钟;停止加热,待非晶薄带圆环冷却至45℃以下,从热处理炉取出。

性能检测:

测试条件为磁感1.1T,频率为50Hz,记为P11/50。合金的饱和磁感应强度Bs 采用静态磁性能测量仪,以磁场为800A/m 下的磁感应强度作为合金的饱和磁感应强度Bs,合金的矫顽力Hc 采用B-H 磁滞回线测试仪测得。

本发明饱和磁感应强度Bs 为1.86T ,矫顽力Hc 均在2.9A/m ,损耗P11/50 在0.28W/kg ,断裂应变εf 在0.028 以上,韧脆转变温度TDB 均在150℃以上。

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