[发明专利]无线通信收发机前端有效
申请号: | 201310215615.1 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN103368601A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 池保勇;况立雪;贾海昆;贾雯;王志华 | 申请(专利权)人: | 深圳清华大学研究院 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 孔丽霞 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无线通信 收发 前端 | ||
1.一种无线通信收发机前端,其包括收发开关(10)、低噪音放大器(30)及功率放大器(50),其特征在于:所述收发开关(10)包括控制端(SC)、天线接口端(P0)、第一收发端(P1)及第二收发端(P2),所述天线接口端(P0)与一天线电性连接,所述第一收发端(P1)与低噪音放大器(30)电性连接,所述第二收发端(P2)与功率放大器(50)电性连接,所述控制端(SC)用于控制所述天线接口端(P0)通过第一收发端(P1)与低噪音放大器(30)导通,或通过第二收发端(P2)与功率放大器(50)导通,所述低噪音放大器(30)及功率放大器(50)均为多级放大结构,所述天线接口端(P0)与低噪音放大器(30)的输入端之间以及所述天线接口端(P0)与功率放大器(50)的输出端之间均为包括多个π型网络和LC网络的多阶宽带匹配网络。
2.如权利要求1所述的无线通信收发机前端,其特征在于:当所述控制端(SC)接收到高电平信号时,所述天线接口端(P0)通过第一收发端(P1)与低噪音放大器(30)导通,所述无线通信收发机前端工作于接收模式;当所述控制端(SC)接收到低电平信号时,所述天线接口端(P0)通过第二收发端(P2)与功率放大器(50)导通,所述无线通信收发机前端工作于发射模式。
3.如权利要求1所述的无线通信收发机前端,其特征在于:所述收发开关(10)还包括T型网络传输线(T)、反相器(Inv)、第一MOS晶体管(M1)、第二MOS晶体管(M2)、第三MOS晶体管(M3)、第四MOS晶体管(M4)、第一电感(L1)、第二电感(L2)及第一电阻至第八电阻(R1-R8),所述T型网络传输线(T)包括第一传输线(TL1)、第二传输线(TL2)及第三传输线(TL3),所述第一传输线(TL1)的一端与天线接口端(P0)电性连接,所述第二传输线(TL2)的一端与第一MOS晶体管(M1)的漏极电性连接,所述第三传输线(TL3)的一端与第二MOS晶体管(M2)的漏极电性连接,所述反相器(Inv)的输入端与控制端(SC)电性连接,输出端电性连接于第一电阻(R1)和第三电阻(R3)之间,所述第一MOS晶体管(M1)的栅极通过第一电阻(R1)与反相器(Inv)的输出端电性连接,衬底端通过第五电阻(R5)接地,所述第二MOS晶体管(M2)的栅极通过第二电阻(R2)与控制端(SC)电性连接,衬底端通过第六电阻(R6)接地,所述第三MOS晶体管(M3)的栅极通过第三电阻(R3)与反相器(Inv)的输出端电性连接,漏极与第一收发端(P1)电性连接,衬底端通过第七电阻(R7)接地,所述第四MOS晶体管(M4)的栅极通过第四电阻(R4)与控制端(SC)电性连接,漏极与第二收发端(P2)电性连接,衬底端通过第八电阻(R8)接地,所述第一MOS晶体管(M1)的漏极和第三MOS晶体管(M3)的漏极通过第一电感(L1)彼此电性连接,所述第二MOS晶体管(M2)的漏极和第四MOS晶体管(M4)的漏极通过第二电感(L2)彼此电性连接。
4.如权利要求1所述的无线通信收发机前端,其特征在于:所述低噪音放大器(30)为三级共源共栅放大器,包括依次串联的第一放大级(32)、第二放大级(34)及第三放大级(36),所述第一放大级(32)包括第一MOS晶体管(M1)、第二MOS晶体管(M2)、第一传输线(TL1)、第一栅极电感(Lg1)、第一串联电感(Lm1)、电容(Cg1)、电阻(Rg1)及T型网络传输线(T-1),所述第一MOS晶体管(M1)的栅极依次通过第一栅极电感(Lg1)、电容(Cg1)与收发开关(10)的第一收发端(P1)电性连接,进而作为该低噪音放大器(30)的输入端,所述第一MOS晶体管(M1)的源级通过第一传输线(TL1)接地,所述电阻(Rg1)一端电性连接于第一栅极电感(Lg1)、电容(Cg1)之间,另一端接一直流偏置电压(VB),所述第二MOS晶体管(M2)的栅极接电源(VDD),源极通过第一串联电感(Lm1)与第一MOS晶体管(M1)的漏极电性连接,漏极与T型网络传输线(T-1)电性连接,所述T型网络传输线(T-1)包括第二传输线(TL2)、第三传输线(TL3)及第四传输线(TL4),所述第二传输线(TL2)的一端与第二MOS晶体管(M2)的漏极电性连接,所述第三传输线(TL3)的一端与电源(VDD)电性连接,所述第四传输线(TL4)的一端作为第一放大级(32)的输出节点(X)。
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