[发明专利]一种晶体硅异质结/微晶硅薄膜叠层光伏电池的制备方法无效
| 申请号： | 201310216037.3 | 申请日： | 2013-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103280496A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 牛新伟;刘石勇;戎俊梅;丁澜;韩玮智;金建波;陆川;仇展炜 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 硅异质结 微晶硅 薄膜 叠层光伏 电池 制备 方法 | ||
1.一种晶体硅异质结/微晶硅薄膜叠层光伏电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
a）在n型硅片上依次形成第一非晶硅本征i层和非晶硅p层；
b）在所述n型硅片背面上依次形成第二非晶硅本征i层和非晶硅n层；
c）在所述非晶硅p层上形成第一掺硼氧化锌薄膜；
d）在所述第一掺硼氧化锌薄膜上形成n-i-p结构；
e）在所述n-i-p结构上形成第二掺硼氧化锌薄膜，在所述非晶硅n层上形成第三掺硼氧化锌薄膜；
f）在所述n型硅片的背面形成背电极，在所述n型硅片的正面形成正电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤d）进一步包括步骤：
d1）在所述第一掺硼氧化锌薄膜上形成n型层；
d2）在所述n型层上形成微晶硅本征i层；
d3）在所述微晶硅本证i层上形成p型层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述n型层为非晶硅或者微晶硅材料。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述p型层为非晶硅或者微晶硅材料。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一非晶硅本征i层的厚度为5nm～15nm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非晶硅p层的厚度为10nm～30nm。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二非晶硅本征i层的厚度为5nm～15nm。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非晶硅n层的厚度为10nm～30nm。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一掺硼氧化锌薄膜的厚度为50nm～200nm。
10.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述n型层的厚度为10nm～30nm。
11.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述微晶硅本征i层的厚度为500nm～2000nm。
12.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述p型层的厚度为10nm～30nm。
13.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二掺硼氧化锌薄膜和/或所述第三掺硼氧化锌薄膜的厚度范围为1000nm～2000nm。
14.根据权利要求1～13任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一掺硼氧化锌薄膜、所述第二掺硼氧化锌薄膜和/或所述第三掺硼氧化锌薄膜采用低压化学气相沉积方式形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江正泰太阳能科技有限公司，未经浙江正泰太阳能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310216037.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可判别应答器方位的方法
- 下一篇：一种抗菌面料、制备工艺及其织物
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
