[发明专利]一种非制冷红外焦平面阵列的非均匀性校正方法

权利要求书

1.一种非制冷红外焦平面阵列的非均匀性校正方法，其特征在于，包括：

步骤A：计算红外焦平面阵列在至少两个标定工作温度下的校正参数，并将所述校正参数存储在存储器中；

步骤B：测量所述红外焦平面阵列的衬底温度；

步骤C：根据所述衬底温度，从所述存储器中获取与所述衬底温度相对应的当前校正参数；

步骤D：用所述红外焦平面阵列对目标物体进行红外成像，获取红外图像；

步骤E：用所述当前校正参数对所述红外图像进行校正。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A包括：

将红外成像系统放置在恒温箱中；

调节所述恒温箱的温度到第一标定工作温度并保持在所述第一标定工作温度；

用两点校正法计算所述红外成像系统的所述红外焦平面阵列在所述第一标定工作温度下的第一校正参数；

将所述第一校正参数存储在所述存储器中；

调节所述恒温箱的温度到第二标定工作温度并保持在所述第二标定工作温度；

用两点校正法计算所述红外焦平面阵列在所述第二标定工作温度下的第二校正参数；

将所述第二校正参数存储在所述存储器中。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤A还包括：

调节所述恒温箱的温度到第三标定工作温度并保持在所述第三标定工作温度；

用两点校正法计算所述红外焦平面阵列在所述第三标定工作温度下的第三校正参数；

将所述第三校正参数存储在所述存储器中。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤C包括：

比较所述衬底温度与所述至少两个标定工作温度，获得与所述衬底温度相等或者与所述衬底温度之间的差值最小的标定工作温度作为对应工作温度；

在所述存储器中读取所述对应工作温度下的校正参数，以所述对应工作温度下的校正参数为所述当前校正参数。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤C包括：

比较所述衬底温度与所述至少两个标定工作温度所属的小温度区间，判断所述衬底温度所属的小温度区间；

以所述衬底温度所属的小温度区间的校正参数为所述当前校正参数。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述校正参数包括偏置参数和/或增益参数。