[发明专利]一种基于忆阻器件的低通、高通、带通、带阻滤波器在审
| 申请号： | 201310216431.7 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103281045A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 刘洋;董华;吴霜毅;顾野;胡绍刚;李竞春;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H7/01 | 分类号： | H03H7/01 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 刘世平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 器件 带阻滤波器 | ||
1.一种基于忆阻器件的低通滤波器，具有输入端(VIN)和输出端(VOUT)，其特征在于，包括第一忆阻器件（M1）及负载电阻(RLOAD)，所述第一忆阻器件(M1)的顶电极连接输入端(VIN)，其底电极接输出端(VOUT)并通过所述负载电阻(RLOAD)接地。
2.一种基于忆阻器件的高通滤波器，具有输入端(VIN)和输出端(VOUT)，其特征在于，包括第一忆阻器件(M1)及负载电阻(RLOAD)，所述第一忆阻器件(M1)的顶电极连接输入端(VIN)，其底电极接地；所述负载电阻(RLOAD)与所述第一忆阻器件(M1)并联；所述输出端(VOUT)通过所述负载电阻(RLOAD)接地。
3.一种基于忆阻器件的带通滤波器，具有输入端(VIN)和输出端(VOUT)，其特征在于，包括第一忆阻器件(M1)、第二忆阻器件(M2)、负载电阻(RLOAD)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)；所述第一忆阻器件(M1)的顶电极连接输入端(VIN)，其底电极通过第一电阻(R1)接地；所述第一忆阻器件(M1)的底电极通过所述第二电阻(R2)连接至第二忆阻器件(M2)的顶电极并连接输出端(VOUT)；所述第二忆阻器件(M2)的底电极接地；所述负载电阻(RLOAD)与所述第二忆阻器件(M2)并联；所述输出端(VOUT)通过所述负载电阻(RLOAD)接地。
4.一种基于忆阻器件的带阻滤波器，具有输入端(VIN)和输出端(VOUT)，其特征在于，包括低通滤波支路、高通滤波支路、第一输出电阻(ROUT1)及第二输出电阻(ROUT2)；所述高通滤波支路与低通滤波支路并联；所述低通滤波支路包括第一忆阻器件(M1)及负载电阻(RLOAD)，所述第一忆阻器件(M1)的顶电极连接输入端(VIN)，底电极通过负载电阻(RLOAD)接地，并通过第一输出电阻(ROUT1)接到输出端(VOUT)；所述高通滤波支路包括第二忆阻器件(M2)，所述第二忆阻器件(M2)的顶电极连接输入端(VIN)，并通过第二输出电阻(ROUT2)接到输出端(VOUT)，其底电极接地。
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