[发明专利]一种不烧SiC窑具材料及其生产方法无效

专利信息
申请号: 201310216434.0 申请日: 2013-05-24
公开(公告)号: CN103274692A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 田伟鲲;田守忠;郑学贞;王伟;陶绪泉 申请(专利权)人: 东阿县鲁西冶金耐火材料有限公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/66
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 252000 山东省聊城市东阿*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 sic 材料 及其 生产 方法
【权利要求书】:

1.一种不烧碳化硅窑具材料的生产方法,其特征在于按重量百分含量将85~98%的碳化硅、5~15%的结晶硅粉混合,外加7~10%的有机硅树脂混合均匀,经浇注成型,脱模,低温热处理。

2.根据权利要求1所述的不烧碳化硅窑具材料的生产方法是按重量百分含量将85~98%的碳化硅、5~15%的结晶硅粉混合,外加7~10%的有机硅树脂在搅拌机里搅拌均匀,将搅拌好的浇注料放入模具内并放在振动台上振动成型,脱模后于280~450℃烘烤8~16小时,即可得到陶瓷烧成用不烧SiC窑具材料。

3.根据权利要求1所述的不烧碳化硅窑具材料的生产方法,其特征在于所述的有机硅树脂的固含量大于80%,残炭量大于60%,粘度为3~16Pa·s。

4.根据权利要求1~3项所述的不烧碳化硅窑具材料的生产方法所生产的陶瓷烧成用碳化硅窑具材料。

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