[发明专利]气相生长装置及氮化物半导体发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种气相生长装置，其特征在于，具有：用来在基板上形成膜的反应室；

设置于所述反应室的内部，用来保持所述基板的基板保持部；

顶板，其设置在被所述基板保持部保持的基板和与所述基板相向的所述反应室的内壁面之间，用来向所述基板上输送提供给所述反应室内部的原料气体；

温度控制部，其通过控制在与所述顶板相向的所述反应室的所述内壁面与所述顶板之间流动的第一气体的流量，将在所述基板上形成所述膜时的所述顶板的温度保持为一定。

2.如权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，在所述反应室形成用来向所述反应室的内部供给所述原料气体的原料气体供给口、以及用来向所述反应室外部排出所述反应室内部的气体的排气口；

所述基板保持部能够旋转；

在相对于所述基板保持部与所述顶板相反的一侧设置用来加热所述基板的加热装置。

3.一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括利用权利要求1所述的气相生长装置，在所述基板上形成氮化物半导体层的工序。

4.如权利要求3所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述温度控制部在形成所述氮化物半导体层的工序中，当所述基板保持部的温度降低时减少所述第一气体的流量，当所述基板保持板的温度升高时增加所述第一气体的流量。

5.如权利要求3所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述氮化物半导体层的工序中，所述温度控制部将所述顶板的温度保持在550℃以上。

6.如权利要求3所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述氮化物半导体层的工序中，所述温度控制部将所述顶板的温度保持在250℃以下。

7.如权利要求3所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，形成所述氮化物半导体层的工序包括：在所述基板上形成n型氮化物半导体层的工序、在所述n型氮化物半导体层上形成活性层的工序、在所述活性层上形成p型氮化物半导体层的工序。

8.如权利要求7所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述温度控制部在形成所述n型氮化物半导体层的工序及形成所述p型氮化物半导体层的工序中的至少一个工序中，将所述顶板的温度保持在550℃以上，在形成所述活性层的工序中，将所述顶板的温度保持在250℃以下。

9.如权利要求7所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述温度控制部在所述基板的温度从所述n型氮化物半导体层的生长温度达到所述活性层的生长温度之前、以及所述基板的温度从所述活性层的生长温度达到所述p型氮化物半导体层的生长温度之前的至少一个过程中，使所述顶板的温度以1.5℃/秒以下的速度变化。

10.如权利要求7所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述温度控制部在所述基板的温度达到所述n型氮化物半导体层的生长温度之前，使所述顶板的温度以1.0℃/秒以下的速度升高。

11.如权利要求3所述的氮化物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述第一气体为H₂气体、N₂气体及NH₃气体中的至少一种气体。