[发明专利]具有非易失性存储器件的存储设备以及写方法有效

专利信息
申请号: 201310216818.2 申请日: 2013-06-03
公开(公告)号: CN103456357B 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 李俊镐;白种南;咸东勋;柳相旭;黄仁珆 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 刘虹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 非易失性存储器 存储 设备 以及 方法
【权利要求书】:

1.一种在包括非易失性存储器件的存储设备中存储写数据的方法,其中所述非易失性存储器件具有非易失性存储单元构成的存储单元阵列,所述方法包括:

将写数据与指示写操作的写请求一起接收;

响应于所述写请求,检测存储单元阵列中可用的自由块的数量;

如果检测出的自由块的数量小于阈值,则仅仅按照子块单位来分配日志块,而如果检测出的自由块的数量不小于阈值,则按照子块单位和物理块单位之一来分配日志块,其中子块单位小于物理块单位;以及

根据日志块执行用于所述写数据的写操作。

2.如权利要求1所述的方法,还包括:

如果检测出的自由块的数量不小于阈值,则确定所述写数据是否具有随机写模式。

3.如权利要求2所述的方法,还包括:

当确定所述写数据具有随机写模式时,按照子块单位来分配日志块,否则按照物理块单位来分配日志块。

4.如权利要求2所述的方法,其中确定所述写数据是否具有随机写模式包括评估与所述写数据相关联的地址的集合。

5.如权利要求4所述的方法,其中评估与所述写数据相关联的地址的集合包括确定所述地址的集合是否是依次的地址。

6.如权利要求4所述的方法,其中评估与所述写数据相关联的地址的集合包括确定所述地址的集合是否是不连续的。

7.如权利要求1所述的方法,其中所述存储单元阵列是三维存储单元阵列。

8.如权利要求1所述的方法,其中所述非易失性存储单元是NAND快闪存储单元,并且

定义所述物理块单位的物理块包括共同连接至至少一条字线的以串形式来布置的NAND快闪存储单元。

9.如权利要求8所述的方法,其中所述物理块在由非易失性存储器件执行的一个擦除操作期间被擦除。

10.如权利要求8所述的方法,其中所述物理块包括多个子块,其中每个子块定义子块单位,以及

每个子块包括共同连接至仅仅一条字线的至少一部分的NAND快闪存储单元。

11.如权利要求10所述的方法,其中所述子块中的每一个在由非易失性存储器件执行的一个擦除操作期间被独立地擦除。

12.一种在包括非易失性存储器件的存储设备中存储写数据的方法,其中所述非易失性存储器件具有非易失性存储单元构成的存储单元阵列,所述方法包括:

将写数据与指示写操作的写请求一起接收;

响应于所述写请求,确定所述存储单元阵列中的多个存储块中的坏块的数量;

如果坏块的数量大于阈值,则仅仅按照子块单位来分配日志块,而如果坏块的数量不大于阈值,则按照子块单位和物理块单位之一来分配日志块,其中子块单位小于物理块单位;以及

根据日志块执行用于所述写数据的写操作。

13.如权利要求12所述的方法,还包括:

如果坏块的数量不大于阈值,则确定所述写数据是否具有随机写模式。

14.如权利要求13所述的方法,还包括:

当确定所述写数据具有随机写模式时,按照子块单位来分配日志块,否则按照物理块单位来分配日志块。

15.如权利要求13所述的方法,其中确定所述写数据是否具有随机写模式包括评估与所述写数据相关联的地址的集合。

16.如权利要求15所述的方法,其中评估与所述写数据相关联的地址的集合包括确定所述地址的集合是否是依次的地址。

17.如权利要求15所述的方法,其中评估与所述写数据相关联的地址的集合包括确定所述地址的集合是否是不连续的。

18.如权利要求12所述的方法,其中所述存储单元阵列是三维存储单元阵列。

19.如权利要求12所述的方法,其中所述非易失性存储单元是NAND快闪存储单元,并且

定义所述物理块单位的物理块包括共同连接至至少一条字线的以串形式来布置的NAND快闪存储单元。

20.如权利要求19所述的方法,其中所述物理块在由非易失性存储器件执行的一个擦除操作期间被擦除。

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