[发明专利]制造场效应晶体管的方法和设备

权利要求书

1.一种制造场效应晶体管的方法，包括：

向鳍片阵列添加第一外延材料；

使用第一掩蔽材料覆盖所述鳍片阵列的至少第一部分；

从所述鳍片阵列的未被覆盖的部分除去所述第一外延材料；

向所述鳍片阵列的所述未被覆盖的部分中的鳍片添加第二外延材料；

使用第二掩蔽材料覆盖所述鳍片阵列的第二部分；以及

使用所述第一掩蔽材料和所述第二掩蔽材料进行定向蚀刻。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括执行反应离子蚀刻。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一外延材料是如下材料之一：SiGe、原位B掺杂的SiGe以及铟掺杂的SiGe。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二外延材料是p掺杂的Si或未掺杂的硅之一。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二外延材料是未掺杂的硅，并且所述方法进一步包括：响应于进行所述定向蚀刻，对所述未掺杂的硅进行掺杂。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一掩蔽材料是如下材料之一：氮化物沉积物、氧化物薄膜、氮氧化物膜和含碳氮化硅膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二掩蔽材料是如下材料之一：抗蚀剂膜、有机平面化层、包含抗反射涂层和抗蚀剂的硅层以及多层的叠层。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括响应于使用所述第一掩蔽材料覆盖所述鳍片阵列的至少所述第一部分，从所述鳍片阵列的第二部分除去所述第一掩蔽材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中除去所述第一外延材料包括使用HCl蚀刻除去所述第一外延。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在外延平台上在单个步骤中执行除去所述第一外延材料和添加所述第二外延材料。

11.一种制造场效应晶体管的设备，包括：

配置成向鳍片阵列添加第一外延材料的模块；

配置成使用第一掩蔽材料覆盖所述鳍片阵列的至少第一部分的模块；

配置成从所述鳍片阵列的未被覆盖的部分除去所述第一外延材料的模块；

配置成向所述鳍片阵列的未被覆盖的部分中的所述鳍片添加第二外延材料的模块；

配置成使用第二掩蔽材料覆盖所述鳍片阵列的第二部分的模块；以及

配置成使用所述第一掩蔽材料和所述第二掩蔽材料进行定向蚀刻的模块。

12.根据权利要求11的设备，其中所述设备进一步包括配置成执行反应离子蚀刻的模块。

13.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一外延材料是如下材料之一：SiGe、原位B掺杂的SiGe以及铟掺杂的SiGe。

14.根据权利要求11所述的设备，其中所述第二外延材料是p掺杂的Si或未掺杂的硅之一。

15.根据权利要求11所述的设备，其中所述第一掩蔽材料是如下材料之一：氮化物沉积物、氧化物薄膜、氮氧化物膜和含碳氮化硅膜。

16.根据权利要求11所述的设备，其中所述第二掩蔽材料是如下材料之一：抗蚀剂膜、有机平面化层、包含抗反射涂层和抗蚀剂的硅层以及多层的叠层。

17.根据权利要求11所述的设备，其中所述设备进一步包括：配置成响应于使用所述第一掩蔽材料覆盖所述鳍片阵列的至少所述第一部分，从所述鳍片阵列的第二部分除去所述第一掩蔽材料的模块。

18.根据权利要求11所述的设备，其中配置成除去所述第一外延材料的模块包括配置成使用HCl蚀刻除去所述第一外延的模块。

19.根据权利要求11所述的设备，其中配置成除去所述第一外延材料的模块以及配置成添加所述第二外延材料的模块被配置成在外延平台上在单个步骤中执行。