[发明专利]一种存储器在审
申请号: | 201310217508.2 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN104217751A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 黄永昌 | 申请(专利权)人: | 辉达公司 |
主分类号: | G11C8/16 | 分类号: | G11C8/16;G11C8/10 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;徐丁峰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储器 | ||
1.一种存储器,包括两组存储单元子阵列以及并排设置在所述两组存储单元子阵列之间的译码模块,所述译码模块包括:
用于对地址信号进行预译码的至少一个预译码模块;以及
用于对经预译码的地址信号进行最终译码并经由字线将经最终译码的地址信号传送到对应的一组存储单元子阵列的至少一个第一最终译码模块和至少一个第二最终译码模块;
其中,所述至少一个第一最终译码模块与所述至少一个预译码模块数目相同,每个第一最终译码模块经由第一预译码地址信号线与一个对应的预译码模块相连接;
每个第二最终译码模块经由第二预译码地址信号线与一个对应的预译码模块相连接;以及
连接到同一个预译码模块的第一最终译码模块和第二最终译码模块分别位于所述同一个预译码模块的两侧。
2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述预译码模块包括多个译码器。
3.根据权利要求2所述的存储器,其特征在于,所述译码器包括2-4译码器、3-8译码器和/或4-16译码器。
4.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器包括多个预译码模块。
5.根据权利要求4所述的存储器,其特征在于,所述存储器包括与所述多个预译码模块相同数目的第二最终译码模块。
6.根据权利要求4所述的存储器,其特征在于,所述连接到同一个预译码模块的第一最终译码模块和第二最终译码模块分别位于所述同一个预译码模块和至少另一个预译码模块的两侧。
7.根据权利要求4所述的存储器,其特征在于,所述连接到同一个预译码模块的第一最终译码模块和第二最终译码模块分别位于所有预译码模块的两侧。
8.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器包括一个预译码模块、一个第一最终译码模块和一个第二最终译码模块。
9.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储单元子阵列是近似正方形。
10.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述两组存储单元子阵列中的每一组包括一个或多个存储单元子阵列,每个存储单元子阵列包括相同行数的存储单元。
11.根据权利要求10所述的存储器,其特征在于,所述每个存储单元子阵列包括相同个数的存储单元。
12.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器是只读存储器。
13.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器是静态随机存取存储器。
14.根据权利要求13所述的存储器,其特征在于,所述静态随机存取存储器包括两个预译码模块和两个第一最终译码模块。
15.根据权利要求14所述的存储器,其特征在于,所述静态随机存取存储器包括两个第二最终译码模块。
16.根据权利要求15所述的存储器,其特征在于,所述连接到同一个预译码模块的第一最终译码模块和第二最终译码模块分别位于所述两个预译码模块的两侧。
17.根据权利要求16所述的存储器,其特征在于,所述两个预译码模块包括读预译码模块和写预译码模块,所述两个第一最终译码模块包括第一读最终译码模块和第一写最终译码模块,所述两个第二最终译码模块包括第二读最终译码模块和第二写最终译码模块。
18.根据权利要求13所述的存储器,其特征在于,所述两组存储单元子阵列中的每一组包括一个256行*256列的存储单元子阵列。
19.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述字线位于所述存储器的第三金属层。
20.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述存储器采用线宽为40nm的半导体工艺制造。
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