[发明专利]具有偏置的侧屏蔽叠层的磁性元件有效
申请号: | 201310217598.5 | 申请日: | 2013-06-04 |
公开(公告)号: | CN103514897B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | D·V·季米特洛夫;宋电;M·W·科温顿 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 邢德杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 偏置 屏蔽 磁性 元件 | ||
1.一种用于数据存储的装置,包括:
磁性堆栈,其具有磁性自由层,所述磁性自由层具有预定磁化;
侧屏蔽叠层,其在空气轴承表面ABS上与所述磁性堆栈隔开并且偏置至与所述预定磁化相反的偏置磁化,所述侧屏蔽叠层被配置成具有在所述空气轴承表面ABS上的第一宽度;以及
偏置部件,所述偏置部件接触所述侧屏蔽叠层而不接触所述磁性堆栈,所述偏置部件具有在所述空气轴承表面ABS上的第二宽度,所述第一宽度和第二宽度是平行于所述预定磁化测得的,并且所述第一宽度大于所述第二宽度。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述磁性堆栈被配置为三层读传感器,所述三层读传感器包括第一和第二磁性自由层,没有磁性钉扎基准结构。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述侧屏蔽叠层的第一子层在所述空气轴承表面ABS上与所述第一磁性自由层横向对准,且所述侧屏蔽叠层的第二子层在所述空气轴承表面ABS上与所述第二磁性自由层横向对准。
4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述第一子层具有与所述预定磁化相反的第一偏置磁化。
5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述第二子层具有与所述预定磁化匹配且与所述第一偏置磁化相反的第二偏置磁化。
6.一种磁性元件,包括:
磁性堆栈,其具有磁性自由层,所述磁性自由层具有预定磁化,
第一和第二侧屏蔽叠层,所述磁性堆栈设置在空气轴承表面ABS上的第一和第二侧屏蔽叠层之间并与所述第一和第二侧屏蔽叠层隔开,每个侧屏蔽叠层具有在所述空气轴承表面ABS上的第一宽度并被偏置至与所述预定磁化相反的偏置磁化;以及
第一和第二偏置部件,分别具有在所述空气轴承表面ABS上的第二宽度,并且分别接触所述第一和第二侧屏蔽叠层而不接触所述磁性堆栈,所述第一宽度和第二宽度是平行于所述预定磁化测得的,并且所述第一宽度大于所述第二宽度。
7.如权利要求6所述的磁性元件,其特征在于,所述磁性堆栈具有与每个侧屏蔽叠层的第一和第二偏置子层分别横向对准的第一和第二磁性自由层,所述第一和第二磁性自由层被设置成定向为基本相反方向的第一和第二预定磁化。
8.如权利要求7所述的磁性元件,其特征在于,所述第一偏置部件接触所述空气轴承表面ABS上的至少一个侧屏蔽叠层,以在所述第一和第二偏置子层中分别施加相反的第一和第二偏置磁化。
9.如权利要求8所述的磁性元件,其特征在于,所述第一偏置部件是具有不同阻挡温度的反铁磁层的叠层。
10.如权利要求8所述的磁性元件,其特征在于,第一偏置部件接触所述磁性堆栈的所述第一磁性自由层,以对所述磁性堆栈施加所述预定磁化。
11.如权利要求10所述的磁性元件,其特征在于,位于所述空气轴承表面ABS远端的后侧偏置磁体对所述磁性堆栈施加所述预定磁化。
12.如权利要求8所述的磁性元件,其特征在于,第二偏置部件接触所述磁性堆栈的所述第二磁性自由层,其与所述第一偏置部件相对。
13.如权利要求10所述的磁性元件,其特征在于,所述第一偏置部件被放置在顶部屏蔽件的减小厚度部分中。
14.一种换能头,包括:
三层磁性堆栈,其具有被配置成具有独立的预定磁化的第一和第二磁性自由层;
侧屏蔽叠层,其在空气轴承表面ABS上与所述磁性堆栈隔开并具有第一宽度,且配置有第一和第二磁性子层,每个磁性子层被偏置至与所述独立的预定磁化分别相反的偏置磁化;以及
偏置部件,具有在所述空气轴承表面ABS上的第二宽度,所述偏置部件接触所述第一和第二侧屏蔽叠层而不接触所述三层磁性堆栈,所述第一宽度和第二宽度是平行于每个独立的预定磁化测得的,并且所述第一宽度大于所述第二宽度。
15.如权利要求14所述的换能头,其特征在于,第一耦合层将所述第一和第二磁性子层隔开,并且第二耦合层将所述侧屏蔽叠层与顶部屏蔽件连接。
16.如权利要求15所述的换能头,其特征在于,所述第一和第二耦合层被配置成提供RKKY耦合。
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