[发明专利]擦写电压产生电路在审

专利信息
申请号: 201310217971.7 申请日: 2013-06-03
公开(公告)号: CN103268776A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 黄明永;杨光军 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C16/14 分类号: G11C16/14
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 擦写 电压 产生 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种擦写电压产生电路,特别是涉及一种精确控制擦写电压的擦写电压产生电路。

背景技术

在闪存电路设计中,系统往往要产生12V的高压供闪存擦除时使用。图1为现有技术中一种擦写电压产生电路的电路示意图。如图1所示,该擦写电压产生电路包括高压电荷泵10、爬坡电路(Gramp)11、NMOS管ml以及检测电路12,高压电荷泵10输出电压Hve可以快速上升至12.4V,之后因检测电路12被触发进入工作状态而控制高压电荷泵10停止工作,这里检测电路12可以为比较器,其一输入端通过两电阻R1/R2分压取样连接至高压电荷泵10输出端,另一输入端接参考电压Vref,其输出端接高压电荷泵10以控制高压电荷泵10工作,高压电荷泵10的输出端接爬坡电路11及NMOS管ml的漏极;爬坡电路(Gramp)11用于控制NMOS管的栅极电压Vgramp缓慢上升,该NMOS管导通后使得源极产生的擦写电压Vep=Vgramp-Vt(ml)。

然而,现有技术的这种擦写电压产生电路却存在如下缺点:当负载电流Iloading比设计估计大时,擦写电压Vep会快速下降,但产生高压Hve的高压电荷泵10却不对擦写电压Vep产生响应,从而使擦写电压Vep波动过大。

发明内容

为克服上述现有技术的擦写电压产生电路存在的擦写电压波动过大的问题,本发明的主要目的在于提供一种擦写电压产生电路,其通过在爬坡电路(Gramp)前增加一个高压电荷泵将原先的高压电荷泵的输出高压再提高一些,使原先的高压电荷泵能迅速响应擦写电压的变化而不至于使擦写电压变化过大,实现精确控制擦写电压的目的。

为达上述及其它目的,本发明提供一种擦写电压产生电路,包括第一电荷泵、爬坡电路、NMOS管及检测电路,该擦写电压产生电路还包括第二电荷泵,该第二电荷泵连接于该第一电荷泵与爬坡电路之间,以将该第一电荷泵输出的高压提高nV,使该NMOS管于源极产生的擦写电压因负载电流过大而下降时充分导通。

进一步地,该第二电荷泵将该第一电荷泵输出的高压至少提高2V。

进一步地,该第一电荷泵与该第二电荷泵为高压电荷泵。

进一步地,该检测电路包括一比较器,其一输入端通过两个电阻分压取样连接至该第一电荷泵的输出端,另一输入端连接参考电压,输出端连接该第一电荷泵以控制该第一电荷泵工作。

与现有技术相比,本发明一种擦写电压产生电路通过在爬坡电路(Gramp)前增加一个第二电荷泵将第一电荷泵的输出高压再提高一些,这样当擦写电压因负载电流过大而下降时,由于爬坡电路输出的电压较高,从而NMOS管导通充分,使得输出的擦写电压更接近等于第一电荷泵输出的高压,擦写电压的变化能更快传递至第一电荷泵输出的高压,从而使产生第一电荷泵迅速响应擦写电压的变化而不至于使擦写电压变化过大,实现精确控制擦写电压的目的。

附图说明

图1为现有技术中一种擦写电压产生电路的电路示意图;

图2为本发明一种擦写电压产生电路之较佳实施例的电路示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例并结合附图说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用,本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用,在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。

图2为本发明一种擦写电压产生电路之较佳实施例的电路示意图。根据图2,本发明一种擦写电压产生电路,包括第一电荷泵20、第二电荷泵21、爬坡电路22、NMOS管ml以及检测电路23。

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