[发明专利]晶圆测试的方法有效

专利信息
申请号: 201310217973.6 申请日: 2013-06-03
公开(公告)号: CN103336239A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 王善屹;王磊 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种晶圆测试的方法,对晶圆上的芯片逐个进行测试,其特征在于,所述晶圆测试的方法在两个相互垂直的方向分别对待测试晶圆进行测试。

2.如权利要求1所述的晶圆测试的方法,其特征在于,所述待测试晶圆为同批次的相同产品的多片晶圆,将所述多片晶圆分为两组,两组晶圆的进行测试的方向相互垂直。

3.如权利要求2所述的晶圆测试的方法,其特征在于,对所述多片晶圆中第奇数片的晶圆在第一方向进行测试;对所述多片晶圆中的第偶数片晶圆在与第一方向垂直的第二方向进行测试。

4.如权利要求1所述的晶圆测试的方法,其特征在于,所述待测试晶圆为单片晶圆,将所述单片晶圆划分为多个区域,相邻的区域进行测试的方向相互垂直。

5.如权利要求4所述的晶圆测试的方法,其特征在于,晶圆上相互垂直的两条弦将晶圆分为四个区域,相邻的两个区域进行测试的方向相互垂直。

6.如权利要求5所述的晶圆测试的方法,其特征在于,晶圆上相互垂直的两条直径将晶圆等分为四个区域,按顺时针方向定义这四个区域为第一区域、第二区域、第三区域、第四区域,其中第一区域和第三区域在第一方向进行测试,第二区域和第四区域在第二方向进行测试。

7.如权利要求3或6所述的晶圆测试的方法,其特征在于,定义晶圆缺口与晶圆圆心所在的直径的方向为第一方向,定义晶圆平面内与第一方向垂直的方向为第二方向。

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