[发明专利]一种背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构及所用网版

权利要求书

1.一种背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构，其特征在于：包括置于太阳电池硅基片背面的钝化介质膜，置于钝化介质膜上的背银电极和背铝电极，所述背银电极内部设有镂空区域，所述背铝电极与背银电极形成互补，所述背银电极与钝化介质膜的开膜区域不重叠或部分重叠，适用于背面钝化点接触或线接触晶体硅太阳电池。 

2.根据权利要求1所述的背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构，其特征在于：所述背银电极具有一个或多个重复排列镂空区域，其镂空区域的形状为圆形或多边形或上述形状的组合。 

3.根据权利要求1或2所述的背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构，其特征在于：所述背银电极的数量为2至5条，所述背银电极的宽度范围为1至5毫米，长度范围为120至156毫米。 

4.根据权利要求3所述的背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构，其特征在于：所述钝化介质膜的开膜区域为对应于背银电极镂空区域底部的线性开膜区域，所述背银电极与所述钝化介质膜的线性开膜区域的图案方向垂直。 

5.根据权利要求4所述的背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构，其特征在于：，所述背银电极镂空图案为长方形，所述镂空图案宽度范围为0.1毫米至1毫米，长度为0.5至5毫米。 

6.根据权利要求3所述的背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构，其特征在于：所述钝化介质膜的开膜区域为对应于背银电极镂空区域底部的线性开膜区域，所述背银电极与所述钝化介质膜的线性开膜区域图案方向平行。 

7.根据权利要求6所述的背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构，其特征在于：所述背银电极镂空图案为长方形，所述镂空图案宽度范围为0.1毫米至1毫米，长度为120至156毫米。 

8.根据权利要求1所述的背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构，其特征在于：所述钝化介质膜的开膜区域为对应于背银电极镂空区域底部的点接触开膜区域，所述背银电极镂空图案为圆形、多边形或上述形状的组合。 

9.根据权利要求1所述的背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构，其特征在于：所述背银电极在对应于钝化介质膜的开膜区域的覆盖率为0至30%。 

10.根据权利要求1所述的背面钝化晶体硅太阳电池的背电极所用网版，其特征在于：包括网版本体，所述网版本体上设置有用于构成图形所形成所述背银电极与背铝电极的使浆料通过的网孔的图案。