[发明专利]可整合至集成电路的高压驱动开关

权利要求书

1.一种可整合至集成电路的高压驱动开关，其特征在于，包含有：

一开关晶体管，具有一漏极、一源极及一栅极；

一开关二极管，具有一阳极及一阴极；其中该开关二极管的阳极连接至该开关晶体管的源极，又该开关二极管的阴极连接至该开关晶体管的栅极；

一第一电阻，具有第一端以及第二端；其中该第一电阻的第一端连接至该开关晶体管的栅极；

一第二电阻，具有第一端以及第二端；其中该第二电阻的第一端连接至该开关晶体管的漏极，又该第二电阻第二端连接至该第一电阻的第二端；及

一控制晶体管，具有一漏极、一源极及一栅极；其中该控制晶体管的漏极连接至该第二电阻与该第一电阻的第二端，又该控制晶体管的源极连接至一接地端。

2.根据权利要求1所述的可整合至集成电路的高压驱动开关，其特征在于，该开关晶体管为金氧半场效应晶体管或双极结型晶体管。

3.根据权利要求1或2所述的可整合至集成电路的高压驱动开关，其特征在于，该控制晶体管为金氧半场效应晶体管或双极结型晶体管。

4.一种可整合至集成电路的高压驱动开关，其特征在于，包含有：

一开关晶体管，具有一漏极、一源极及一栅极；

一开关二极管，具有一阳极及一阴极；其中该开关二极管的阳极连接至该开关晶体管的源极，又该开关二极管的阴极连接至该开关晶体管的栅极；

一升压电容，具有第一端及第二端；其中该升压电容的第一端连接至该开关晶体管的栅极；

一第一电阻，具有第一端以及第二端；其中该第一电阻的第一端连接至该开关晶体管的栅极；

一第二电阻，具有第一端以及第二端；其中该第二电阻的第一端连接至该开关晶体管的漏极，又该第二电阻第二端连接至该升压电容的第二端；

一第一控制晶体管，具有一漏极、一源极及一栅极；其中该第一控制晶体管的漏极连接至该第一电阻的第二端，又该控制晶体管的源极连接至一接地端；及

一第二控制晶体管，具有一漏极、一源极及一栅极；其中该第二控制晶体管的漏极连接至该升压电容的第二端，又该第二控制晶体管的源极连接至一接地端；并且该第二控制晶体管的栅极连接至该第一控制晶体管的栅极。

5.根据权利要求4所述的可整合至集成电路的高压驱动开关，其特征在于，该开关晶体管为金氧半场效应晶体管或双极结型晶体管。

6.根据权利要求4或5所述的可整合至集成电路的高压驱动开关，其特征在于，该第一控制晶体管为金氧半场效应晶体管或双极结型晶体管。

7.根据权利要求4或5所述的可整合至集成电路的高压驱动开关，其特征在于，该第二控制晶体管为金氧半场效应晶体管或双极结型晶体管。

8.根据权利要求6所述的可整合至集成电路的高压驱动开关，其特征在于，该第二控制晶体管为金氧半场效应晶体管或双极结型晶体管。