[发明专利]布局修改方法及系统

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供非易失性机器可读存储介质，所述非易失性机器可读存储介质存储先前下线的集成电路(IC)布局的至少一部分的局部网表，所述局部网表代表用于制造具有使IC满足第一规格值的IC布局的IC的光掩模组；

通过计算机识别所述IC布局中的多个第一器件的固有子器件，使得通过第二器件代替所述第一器件的所述固有子器件在修改后的IC布局中满足不同于所述第一规格值的第二规格值；以及

生成至少一个布局掩模并将所述至少一个布局掩模存储在可通过用于形成至少一个附加光掩模的工具访问的至少一个非易失性机器可读存储介质中，使得将所述光掩模组和所述至少一个附加光掩模用于根据所述修改后的IC布局制造IC。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在不改变所述光掩模组中的任何光掩模的情况下实施生成步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

将所述光掩模组用于实施多个半导体工艺步骤；以及

将附加光掩模配置成选择性地针对多个工艺步骤中的一个工艺步骤改变所述第一器件的固有子器件的总曝光时间，使得所述第一器件的所述固有子器件在所述一个工艺步骤中的工艺时间不同于排除在所述固有子器件之外的任何第一器件在所述一个工艺步骤中的工艺时间。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述附加光掩模配置成选择性地针对栅极绝缘层形成工艺改变所述第一器件的所述固有子器件的曝光时间。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述附加光掩模配置成选择性地针对离子注入工艺改变所述第一器件的所述固有子器件的曝光时间。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述附加光掩模配置成选择性地改变所述第一器件的所述固有子器件的栅极侧壁间隔件的长度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，提供包括所述局部网表的介质的步骤包括：

(a)识别所述先前下线的IC布局的所述部分中的多个标准单元；以及

(b)识别所述多个标准单元之间的互连，其中，步骤(a)和(b)基于所述光掩模组的布局检查。

8.根据权利要求7所述的方法，步骤(a)包括：

将单元库的标准单元的至少一层的特征与所述光掩模组中的至少一个光掩模的相应特征进行比较；以及

如果所述标准单元的所述至少一层的特征与所述至少一个光掩模中的所述相应特征相匹配，则将该特征识别为所述标准单元的实例的一部分。

9.一种系统，包括：

非易失性机器可读存储介质，存储先前下线的集成电路(IC)布局的至少一部分的局部网表，所述局部网表代表用于制造具有使所述IC满足第一规格值的IC布局的IC的光掩模组；

至少一个处理器，被配置成识别所述IC布局中的多个第一器件的固有子器件，使得通过第二器件代替所述第一器件的所述固有子器件在修改后的IC布局中满足不同于所述第一规格值的第二规格值；以及

所述至少一个处理器，进一步被配置成生成至少一个布局掩模并将所述至少一个布局掩模存储在可通过用于形成至少一个附加光掩模的工具访问的至少一个非易失性机器可读存储介质中，使得所述光掩模组和所述至少一个附加光掩模用于根据所述修改后的IC布局制造IC。

10.一种非易失性计算机可读存储介质，包括至少一个并且通过计算机程序指令进行编码，使得当计算机执行所述计算机程序指令时，所述计算机执行包括以下步骤的方法：

访问包括先前下线的集成电路(IC)布局的至少一部分的局部网表的非易失性机器可读存储介质，所述局部网表代表用于制造具有使IC满足第一规格值的IC布局的IC的光掩模组；

通过所述计算机识别所述IC布局中的多个第一器件的固有子器件，使得通过第二器件代替所述第一器件的所述固有子器件在修改后的IC布局中满足不同于所述第一规格值的第二规格值；

在所述计算机中生成至少一个布局掩模并将所述至少一个布局掩模存储在可通过用于形成至少一个附加光掩模的工具访问的至少一个非易失性机器可读存储介质中，使得所述光掩模组和所述至少一个附加光掩模用于根据所述修改后的IC布局制造IC。