[发明专利]固态成像元件、固态成像元件的校正方法、快门装置和电子设备有效
申请号: | 201310218440.X | 申请日: | 2013-06-04 |
公开(公告)号: | CN103515403B | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 出羽恭子;角野宏治;原田耕一;小林俊之 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 梁兴龙,陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 校正 方法 快门 装置 电子设备 | ||
1.一种固态成像元件,包括:
具有光电转换部的多个像素;和
设置在所述光电转换部的光接收面侧并由多个纳米碳层形成的纳米碳层叠膜,通过改变所述纳米碳层叠膜的层叠数量和向所述纳米碳层叠膜施加的电压,在所述纳米碳层叠膜中光的透过率和可透过的光的波长区变化,
其中所述纳米碳层叠膜包括由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第一电极、由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第二电极以及夹持在第一电极和第二电极之间的介电层。
2.如权利要求1所述的固态成像元件,
其中所述纳米碳层叠膜设置在对应于预定像素的位置。
3.如权利要求1所述的固态成像元件,
其中所述纳米碳层叠膜设置在对应于红外线像素的位置,以获得近红外线信号分量,和
从可见光像素中的信号量减去所述红外线像素中的信号量,以获得可见光信号分量,由此校正所述可见光像素的信号量。
4.如权利要求1所述的固态成像元件,
其中所述纳米碳层是石墨烯。
5.如权利要求1所述的固态成像元件,
其中所述介电层由高介电常数材料形成。
6.如权利要求1所述的固态成像元件,
其中形成第一电极的所述一个纳米碳层或所述多个纳米碳层用第一导电型的杂质掺杂,和
形成第二电极的所述一个纳米碳层或所述多个纳米碳层用第二导电型的杂质掺杂。
7.如权利要求1所述的固态成像元件,
其中配置在彼此邻近区域中的一个蓝色像素、一个绿色像素和两个红色像素形成单位像素,和
所述纳米碳层叠膜设置在对应于所述单位像素中的所述两个红色像素中的一个的位置。
8.如权利要求7所述的固态成像元件,
其中使用在设有所述纳米碳层叠膜的红色像素中获得的信号分量进行色调校正。
9.如权利要求1所述的固态成像元件,
其中配置在彼此邻近区域中的一个蓝色像素、两个绿色像素和一个红色像素形成单位像素,和
所述纳米碳层叠膜设置在对应于所述单位像素中的所述两个绿色像素中的一个的位置。
10.如权利要求1所述的固态成像元件,
其中配置在彼此邻近区域中的蓝色像素、绿色像素、红色像素和白色像素这四个像素形成单位像素,和
所述纳米碳层叠膜设置在对应于所述单位像素中的所述白色像素的位置。
11.一种固态成像元件的校正方法,所述固态成像元件包括具有光电转换部的多个像素和设置在所述光电转换部的光接收面侧并由多个纳米碳层形成的纳米碳层叠膜,通过改变所述纳米碳层叠膜的层叠数量和向所述纳米碳层叠膜施加的电压,在所述纳米碳层叠膜中光的透过率和可透过的光的波长区变化,所述校正方法包括:
针对各像素在对应于所述纳米碳层叠膜的各像素的位置调节透过率,
其中所述纳米碳层叠膜包括由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第一电极、由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第二电极以及夹持在第一电极和第二电极之间的介电层。
12.一种电子设备,包括:
固态成像元件,包括具有光电转换部的多个像素,和设置在所述光电转换部的光接收面侧并由多个纳米碳层形成的纳米碳层叠膜,通过改变所述纳米碳层叠膜的层叠数量和向所述纳米碳层叠膜施加的电压,在所述纳米碳层叠膜中光的透过率和可透过的光的波长区变化;和
用于处理从所述固态成像元件输出的输出信号的信号处理电路,
其中所述纳米碳层叠膜包括由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第一电极、由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第二电极以及夹持在第一电极和第二电极之间的介电层。
13.一种快门装置,包括:
由多个纳米碳层形成的纳米碳层叠膜,通过改变所述纳米碳层叠膜的层叠数量和向所述纳米碳层叠膜施加的电压,在所述纳米碳层叠膜中光的透过率和可透过的光的波长区变化;和
向所述纳米碳层叠膜施加电压的电压施加部,
其中所述纳米碳层叠膜包括由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第一电极、由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第二电极以及夹持在第一电极和第二电极之间的介电层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310218440.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的