[发明专利]固态成像元件、固态成像元件的校正方法、快门装置和电子设备有效

专利信息
申请号: 201310218440.X 申请日: 2013-06-04
公开(公告)号: CN103515403B 公开(公告)日: 2018-01-19
发明(设计)人: 出羽恭子;角野宏治;原田耕一;小林俊之 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/374
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 代理人: 梁兴龙,陈桂香
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固态 成像 元件 校正 方法 快门 装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种固态成像元件,包括:

具有光电转换部的多个像素;和

设置在所述光电转换部的光接收面侧并由多个纳米碳层形成的纳米碳层叠膜,通过改变所述纳米碳层叠膜的层叠数量和向所述纳米碳层叠膜施加的电压,在所述纳米碳层叠膜中光的透过率和可透过的光的波长区变化,

其中所述纳米碳层叠膜包括由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第一电极、由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第二电极以及夹持在第一电极和第二电极之间的介电层。

2.如权利要求1所述的固态成像元件,

其中所述纳米碳层叠膜设置在对应于预定像素的位置。

3.如权利要求1所述的固态成像元件,

其中所述纳米碳层叠膜设置在对应于红外线像素的位置,以获得近红外线信号分量,和

从可见光像素中的信号量减去所述红外线像素中的信号量,以获得可见光信号分量,由此校正所述可见光像素的信号量。

4.如权利要求1所述的固态成像元件,

其中所述纳米碳层是石墨烯。

5.如权利要求1所述的固态成像元件,

其中所述介电层由高介电常数材料形成。

6.如权利要求1所述的固态成像元件,

其中形成第一电极的所述一个纳米碳层或所述多个纳米碳层用第一导电型的杂质掺杂,和

形成第二电极的所述一个纳米碳层或所述多个纳米碳层用第二导电型的杂质掺杂。

7.如权利要求1所述的固态成像元件,

其中配置在彼此邻近区域中的一个蓝色像素、一个绿色像素和两个红色像素形成单位像素,和

所述纳米碳层叠膜设置在对应于所述单位像素中的所述两个红色像素中的一个的位置。

8.如权利要求7所述的固态成像元件,

其中使用在设有所述纳米碳层叠膜的红色像素中获得的信号分量进行色调校正。

9.如权利要求1所述的固态成像元件,

其中配置在彼此邻近区域中的一个蓝色像素、两个绿色像素和一个红色像素形成单位像素,和

所述纳米碳层叠膜设置在对应于所述单位像素中的所述两个绿色像素中的一个的位置。

10.如权利要求1所述的固态成像元件,

其中配置在彼此邻近区域中的蓝色像素、绿色像素、红色像素和白色像素这四个像素形成单位像素,和

所述纳米碳层叠膜设置在对应于所述单位像素中的所述白色像素的位置。

11.一种固态成像元件的校正方法,所述固态成像元件包括具有光电转换部的多个像素和设置在所述光电转换部的光接收面侧并由多个纳米碳层形成的纳米碳层叠膜,通过改变所述纳米碳层叠膜的层叠数量和向所述纳米碳层叠膜施加的电压,在所述纳米碳层叠膜中光的透过率和可透过的光的波长区变化,所述校正方法包括:

针对各像素在对应于所述纳米碳层叠膜的各像素的位置调节透过率,

其中所述纳米碳层叠膜包括由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第一电极、由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第二电极以及夹持在第一电极和第二电极之间的介电层。

12.一种电子设备,包括:

固态成像元件,包括具有光电转换部的多个像素,和设置在所述光电转换部的光接收面侧并由多个纳米碳层形成的纳米碳层叠膜,通过改变所述纳米碳层叠膜的层叠数量和向所述纳米碳层叠膜施加的电压,在所述纳米碳层叠膜中光的透过率和可透过的光的波长区变化;和

用于处理从所述固态成像元件输出的输出信号的信号处理电路,

其中所述纳米碳层叠膜包括由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第一电极、由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第二电极以及夹持在第一电极和第二电极之间的介电层。

13.一种快门装置,包括:

由多个纳米碳层形成的纳米碳层叠膜,通过改变所述纳米碳层叠膜的层叠数量和向所述纳米碳层叠膜施加的电压,在所述纳米碳层叠膜中光的透过率和可透过的光的波长区变化;和

向所述纳米碳层叠膜施加电压的电压施加部,

其中所述纳米碳层叠膜包括由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第一电极、由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第二电极以及夹持在第一电极和第二电极之间的介电层。

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