[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于包括：

基底，所述基底包括DRAM晶胞区与RRAM晶胞区；

绝缘层，位于所述基底上，在所述DRAM晶胞区上具有第一开口，且在所述RRAM晶胞区上具有第二开口；

DRAM电容器，位于所述DRAM晶胞区上的所述绝缘层的所述第一开口中，且所述DRAM电容器包括第一电极，仅位于所述第一开口中；以及

RRAM存储单元，位于所述RRAM晶胞区上的所述绝缘层的所述第二开口中，且所述DRAM电容器包括第二电极，仅位于所述第二开口中，

其中所述DRAM电容器的所述第一电极的尺寸大于所述RRAM存储单元的所述第二电极的尺寸。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中

所述DRAM电容器包括：

所述第一电极，位于所述第一开口的底部与侧壁；

第一介电层，覆盖所述第一开口中的所述第一电极上，并延伸覆盖于所述绝缘层上；以及

第三电极，覆盖于所述第一介电层上；以及

所述RRAM存储单元包括：

所述第二电极，位于所述第二开口的底部，并延伸覆盖至所述第二开口的第一部分侧壁，裸露所述第二开口的一第二部分侧壁；

第二介电层，覆盖所述第二电极上，并延伸覆盖于所述第二开口的所述第二部分侧壁以及所述绝缘层上；以及

第四电极，覆盖于所述第二介电层上。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中所述第一介电层与所述第二介电层的材料相同。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其中所述第一介电层与所述第二介电层的材料不同。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中所述第二介电层的材料包括可变电阻材料。

6.如权利要求4所述的半导体元件，还包括金属层，位于所述第二介电层与所述第四电极之间。

7.一种半导体元件的制造方法，其特征在于包括：

提供一基底，所述基底包括DRAM晶胞区与RRAM晶胞区；

于所述基底上形成一绝缘层，覆盖所述DRAM晶胞区与所述RRAM晶胞区；

在所述DRAM晶胞区上的所述绝缘层中形成第一开口，且在所述RRAM晶胞区上的所述绝缘层中形成第二开口；

于所述第一开口的底部与侧壁形成第一电极；

于所述第二开口中形成第二电极，所述第二电极的尺寸小于第一电极的尺寸，且所述第二电极覆盖所述第二开口的底部以及第一部分侧壁，裸露所述第二开口的第二部分侧壁；

于所述DRAM晶胞区的所述第一开口中的所述第一电极以及所述绝缘层上形成第一介电层；

于所述RRAM晶胞区的所述第二电极以及所述第二开口的所述第二部分侧壁以及所述绝缘层上形成第二介电层；

于所述第一介电层上形成第三电极；以及

于所述第二介电层上形成一第四电极，

其中所述第一电极、所述第一介电层与所述第三电极组成DRAM电容器，而所述第二电极、所述第二介电层以及所述第四电极组成RRAM存储单元。

8.如权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其中形成所述第一电极与形成所述第二电极的步骤包括：

在所述基底上形成电极材料层，覆盖所述DRAM晶胞区与所述RRAM晶胞区的所述绝缘层以及所述第一开口以及所述第二开口的侧壁与底部；

于所述基底上形成牺牲层，覆盖所述DRAM晶胞区与所述RRAM晶胞区的所述电极材料层，并填满所述第一开口与所述第二开口；

移除所述DRAM晶胞区与所述RRAM晶胞区的所述绝缘层上的所述牺牲层与所述电极材料层，裸露出所述绝缘层的表面；

在所述基底上形成罩幕层，覆盖所述DRAM晶胞区；

以所述罩幕层为罩幕，移除所述第二开口中的部分牺牲层，使所述第二开口中的所述牺牲层的高度低于所述第一开口中的所述牺牲层的高度；

以所述罩幕层以及所述牺牲层为罩幕，回蚀刻所述第二开口中的所述电极材料层，留在所述第二开口中的所述电极材料层形成所述第二电极，留在所述第一开口中的所述电极材料层形成所述第一电极；

移除所述罩幕层；以及

移除所述牺牲层，裸露出所述第一电极以及所述第二电极与所述第二开口的所述第二部分侧壁。