[发明专利]多晶硅介质熔炼时管道式连续加渣方法

权利要求书

1.一种多晶硅介质熔炼时管道式连续加渣方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）将石墨管道竖直放置于石墨坩埚内正中心，并在石墨管道四周放置硅块；

（2）对硅块加热使其全部熔化成硅液；

（3）从石墨管道的上端口加入渣剂，渣剂接触到液态硅会自下而上逐步熔化，熔化的渣剂进入硅液中与硅液发生造渣反应，并向石墨坩埚内硅液表面移动，最终在硅液表面形成旧渣；

（4）旧渣在硅液表面富集，直至从石墨坩埚溢出，对旧渣进行回收。

2.根据权利要求1所述的多晶硅介质熔炼时管道式连续加渣方法，其特征在于步骤（1）中石墨管道底部与石墨坩埚内底部之间间距为5～10mm。

3.根据权利要求1所述的多晶硅介质熔炼时管道式连续加渣方法，其特征在于步骤（2）中硅液的表面温度为1500～1800℃。

4.根据权利要求1所述的多晶硅介质熔炼时管道式连续加渣方法，其特征在于步骤（3）中渣剂的加入速度为每10分钟加入硅块质量的1%～5%。