[发明专利]一种快速高效的晶背缺陷识别方法有效
| 申请号： | 201310220498.8 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103295930B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;王恺 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 快速 高效 缺陷 识别 方法 | ||
1.一种快速高效的晶背缺陷识别方法，其特征在于，包括如下步骤：
创建一存放有图形信息数据的图形信息数据库；
将在线发现晶圆背面缺陷的照片转化为数据化的模拟图片；
将上述数据化的模拟图片中的晶圆背面缺陷特征数据输入到上述图形信息数据库中；
上述图形信息数据库根据所述晶圆背面缺陷特征数据对存储其中的图形信息数据进行自动搜索，以搜索到与上述晶圆背面缺陷特征数据匹配程度最高的图形信息数据；
其中，上述图形信息数据为集成电路生产工厂中所有会与晶圆背面接触造成晶圆背面缺陷的机台相关零件的数据；
所述图形信息数据包括图形特征参数数据、生产特性数据，每个机台相关零件的图形信息数据均为由若干个形状不同的最小重复单元图形重复排列后组成的数据；
所述数据化的模拟图片包括由若干个形状不同的最小重复单元图形重复排列后组成的数据，每个形状不同的最小重复单元图形的数量和尺寸不同，所述最小重复单元图形包括方形、圆形、三角形、多边形、直线或者曲线中的一种或几种；
将所述数据化的模拟图片中晶圆背面缺陷部分的所有最小重复单元图形重复排列后的特征数据输入到所述图形信息数据库中进行自动搜索匹配。
2.根据权利要求1所述的晶背缺陷识别方法，其特征在于，还包括对上述匹配程度最高的图形信息数据对应的机台相关零件做进一步原因分析、查找或澄清步骤。
3.根据权利要求1所述的晶背缺陷识别方法，其特征在于，所述数据化的模拟图片通过对在线发现晶圆背面缺陷的照片进行灰阶处理得到。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
