[发明专利]一种用于室温检测的NO2气体传感器的制作方法

权利要求书

1.一种用于室温检测的NO₂气体传感器的制作方法，其特征在于，包括：

在柔性衬底表面制作金属电极；

制作SWCNTs/SnO₂敏感膜；以及

将SWCNTs/SnO₂敏感膜与柔性衬底具有金属电极的表面结合，形成用于室温检测的NO₂气体传感器。

2.根据权利要求1所述的用于室温检测的NO₂气体传感器的制作方法，其特征在于，所述在柔性衬底表面制作金属电极，包括：

清洗柔性衬底，在该柔性衬底表面涂敷光刻胶，并对该光刻胶进行光刻，刻掉柔性衬底表面用于形成金属电极处的光刻胶，在柔性衬底表面形成电极图形；接着采用电子束蒸发在具有电极图形的柔性衬底上依次沉积Cr膜和Au膜；最后剥离光刻胶及光刻胶上的Cr膜和Au膜，形成表面具有金属电极的柔性衬底。

3.根据权利要求2所述的用于室温检测的NO₂气体传感器的制作方法，其特征在于，所述柔性衬底包括PI、PET或PEN。

4.根据权利要求2所述的用于室温检测的NO₂气体传感器的制作方法，其特征在于，所述在柔性衬底表面涂敷的光刻胶为正胶，包括9920或3220。

5.根据权利要求1所述的用于室温检测的NO₂气体传感器的制作方法，其特征在于，所述制作SWCNTs/SnO₂敏感膜，包括：

将CO在高压作用下发生歧化反应生成碳纳米管，将该碳纳米管与有机金属溶液2-己基己酸亚锡混合，超声振荡1.5至2.5小时，得到均匀混合的悬浮液；接着通过旋涂、滴涂、浸涂或丝网印刷将该悬浮液涂覆在SiO₂基片上，干燥蒸发掉涂层中的溶剂；然后对蒸发掉涂层中溶剂的SiO₂基片进行高温煅烧，得到与SiO₂基片结合的SWCNTs/SnO₂敏感膜；最后利用HF酸刻蚀掉SiO₂基片，实现将SWCNTs/SnO₂敏感膜与SiO₂基片分离，得到SWCNTs/SnO₂敏感膜。

6.根据权利要求5所述的用于室温检测的NO₂气体传感器的制作方法，其特征在于，所述对蒸发掉涂层中溶剂的SiO₂基片进行高温煅烧，得到与SiO₂基片结合的SWCNTs/SnO₂敏感膜的步骤中，2-己基己酸亚锡被高温煅烧发生的反应方程式如下：

7.根据权利要求5或6所述的用于室温检测的NO₂气体传感器的制作方法，其特征在于，所述高温煅烧的温度范围为300-1000℃。

8.根据权利要求1所述的用于室温检测的NO₂气体传感器的制作方法，其特征在于，所述将SWCNTs/SnO₂敏感膜与柔性衬底具有金属电极的表面结合，形成用于室温检测的NO₂气体传感器，包括：

在柔性衬底具有金属电极的表面涂覆一层导电银浆，利用该导电银浆将SWCNTs/SnO₂敏感膜与柔性衬底具有金属电极的表面结合起来，形成用于室温检测的NO₂气体传感器。