[发明专利]改善CMOS图像传感器性能的方法有效
| 申请号： | 201310221336.6 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103280451B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 田志;金秋敏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 cmos 图像传感器 性能 方法 | ||
1.一种改善CMOS图像传感器性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一硅衬底，该硅衬底的表面具有一氧化层；
对所述硅衬底进行清洗工艺以去除所述氧化层；
于所述硅衬底上表面生长一碳化硅外延层；
对所述碳化硅外延层进行P掺杂工艺后，对所述硅衬底的下表面进行减薄工艺；
继续后续的CMOS图像传感器的制备工艺。
2.根据权利要求2所述的改善CMOS图像传感器性能的方法，其特征在于，所述硅衬底为P型掺杂的硅衬底。
3.根据权利要求1所述的改善CMOS图像传感器性能的方法，其特征在于，将所述硅衬底置于H2的氛围的外延腔体内进行加热工艺去除所述氧化层，其中，
采用浓度为0.01ml/s～0.05ml/s的H2，在温度为900～1100℃条件下，对所述硅衬底进行10～60s的加热工艺。
4.根据权利要求2所述的改善CMOS图像传感器性能的方法，其特征在于，通入H2、C3H8和SiH4于所述硅衬底上表面生长一层碳化硅外延层；
其中，通入H2的流量为0.01ml/s～0.05ml/s，C3H8的流量为0.1ml/s～0.5ml/s，SiH4的流量为0.2ml/s～1ml/s以生长所述碳化硅外延层。
5.根据权利要求4所述的改善CMOS图像传感器性能的方法，其特征在于，通入C3H8、SiH4及掺杂剂三甲基铝对所述外延层进行P掺杂工艺，
其中，进行P掺杂工艺时，通入的C3H8的气体流量为0.1ml/s～1ml/s,SiH4的气体流量为0.1ml/s～1ml/s,掺杂剂三甲基铝的流量为5E-7ml/s～5E-6ml/s。
6.根据权利要求2所述的改善CMOS图像传感器性能的方法，其特征在于，所述碳化硅外延层的掺杂浓度与所述P衬底的掺杂浓度相同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
