[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和显示器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括栅极、源电极、漏电极、栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层，其特征在于，所述欧姆接触层位于所述半导体层的侧面并与所述半导体层的侧面接触。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层具有相互连通的第一凹槽和第二凹槽，所述半导体层形成在所述第一凹槽内，所述欧姆接触层形成在所述第二凹槽内。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述欧姆接触层包括由靠近所述半导体层到远离所述半导体层排列并相互接触的至少两个子欧姆接触层，所述至少两个子欧姆接触层的导电性能由靠近所述半导体层到远离所述半导体层逐渐增强；所述源电极、漏电极分别与一远离所述半导体的所述子欧姆接触层接触。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层与所述欧姆接触层位于同一层。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽具有相同的深度。

6.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二凹槽位于所述第一凹槽的外侧。

7.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，多个所述子欧姆接触层位于同一层。

8.一种显示器件，其特征在于，所述显示器件包括权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管。

9.一种形成如权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述半导体层和所述欧姆接触层用注入法形成。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层上形成有相互连通的所述第一凹槽和所述第二凹槽，所述半导体层是将形成所述半导体层的原料注入在所述第一凹槽内形成，所述欧姆接触层是将形成所述欧姆接触层的原料注入在所述第二凹槽内形成。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在所述栅极绝缘层上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光和显影，从而在所述光刻胶层上形成完全去除区域、第一到第n部分保留区域和完全保留区域，其中所述第一到第n部分保留区域的光刻胶厚度依次增加；

对所述完全去除区域的所述栅绝缘层进行刻蚀，形成所述第一凹槽，而后采用所述注入法在所述第一凹槽内形成所述半导体层；

去除第一部分保留区域的光刻胶，并刻蚀该区域的对应的所述栅绝缘层，形成第二凹槽第一部分，而后采用所述注入法在所述第二凹槽第一部分内形成第一子欧姆接触层；

去除第二部分保留区域的光刻胶，并刻蚀该区域的对应的所述栅绝缘层，形成第二凹槽第二部分，而后采用所述注入法在所述第二凹槽第二部分内形成第二子欧姆接触层；如此，依次形成其它各子欧姆接触层。

12.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽与所述半导体层的形状相一致，所述第二凹槽与所述欧姆接触层的形状相一致。

13.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述注入法为喷墨打印。