[发明专利]包括背接触式太阳能电池的光伏模块用背板有效
申请号: | 201310222286.3 | 申请日: | 2013-06-05 |
公开(公告)号: | CN103474494A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 艾丽沙·班克尼;路易吉·玛哈斯;布鲁诺·布奇 | 申请(专利权)人: | 爱博福欧有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18;B32B27/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 意大利*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 接触 太阳能电池 模块 背板 | ||
1.一种包括背接触式太阳能电池的光伏模块用背接触式背板,所述背接触式背板包括:
基板(210),其具有暴露于所述光伏模块的空气侧的外表面和与所述外表面相反并面向所述光伏模块的内侧的内表面,
导电材料层(220),其包括铝,所述导电材料层适于形成为连接至所述太阳能电池的电极的连接电路(220c)并且直接附接至所述基板(210)的所述内表面,所述导电材料层(220)包括在所述导电材料层(220)的与面向所述基板(210)的表面相反的表面上形成的金属保护膜。
2.根据权利要求1所述的背接触式背板,其特征在于,所述金属保护膜包括银或含银的金属合金。
3.根据权利要求1或2所述的背接触式背板,其特征在于,所述金属保护膜具有在12nm至200nm范围内的厚度,优选地,所述金属保护膜具有在40nm至80nm范围内的厚度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的背接触式背板,其特征在于,所述基板(210)包括以下聚合物中的至少一种:聚氟乙烯(PVF)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的背接触式背板,其特征在于,所述基板(210)包括第一聚合物材料的第一绝缘层(212)和第二聚合物材料的第二绝缘层(216),其中所述第一绝缘层具有暴露于所述光伏模块的空气侧的外表面和与该外表面相反的内表面,所述第二绝缘层联接至所述第一绝缘层(212)的该内表面。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的背接触式背板,其特征在于,所述基板(210)包括:
第一聚合物材料制成的第一绝缘层(212),所述第一绝缘层具有暴露于所述光伏模块的空气侧的外表面和与该外表面相反的内表面,
由不能透过水蒸气的材料制成的中间层(214),所述中间层联接至所述第一绝缘层(212)的内表面,所述中间层具有面向所述第一绝缘层(212)的下表面和与所述下表面相反的上表面,
第二聚合物材料制成的第二绝缘层(216),所述第二绝缘层联接至所述中间层(214)的上表面。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的背接触式背板,其特征在于,所述背接触式背板包括介电材料层(240),所述介电材料层具有面向所述导电材料层(220)和所述基板(210)的下表面和与该下表面相反的上表面,所述介电材料层(240)沉积到所述基板(210)的内表面和所述导电材料层(220),所述介电材料层(240)适于选择性地使在所述导电材料层(220)中形成的所述连接电路(220c)隔离,所述介电材料层(240)具有多个通孔(242),各所述通孔(242)均适于使所述导电材料层(220)的预定部分露出。
8.一种用于制造包括背接触式太阳能电池的光伏模块用背接触式背板的方法,所述方法包括如下步骤:
制造所述光伏模块的基板(210),所述基板(210)具有暴露于所述光伏模块的空气侧的外表面和与所述外表面相反并朝向所述光伏模块的内侧的内表面;
制造导电材料层(220),所述导电材料层包括铝,所述导电材料层适于形成为连接至所述太阳能电池的电极的连接电路(220c),所述制造所述导电材料层(220)的步骤包括在真空中对所述导电材料层(220)的第一表面进行等离子体蚀刻处理,在所述等离子体蚀刻处理之后将金属保护膜沉积到所述导电材料层(220)的所述第一表面,所述导电材料层(220)的与所述第一表面相反的第二表面在所述制造所述导电材料层(220)的步骤期间暴露,
将所述导电材料层(220)联接至所述基板(210),所述联接以如下方式进行:使所述导电材料层(220)的所述第二表面面向所述基板(210)的所述内表面,
处理所述导电材料层(220)以形成连接至所述太阳能电池的电极的连接电路(220c),所述处理所述导电材料层(220)的步骤在所述将所述导电材料层(220)联接至所述基板(210)的步骤之后进行。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述制造所述基板(210)的步骤借助于辊-辊处理进行。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,所述制造所述导电材料层(220)的步骤借助于辊-辊处理进行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的