[发明专利]一种用于LED交流驱动高压芯片的封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种用于LED交流驱动高压芯片的封装结构。

背景技术

LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是采用半导体材料作为电－光转换介质的新一代光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，将在不久替代节能灯成为主流照明。随着全球白炽灯禁产禁销政策依序落实，LED照明灯具将面对取代白炽灯的机遇，市场规模高达数千亿。

一般应用在LED照明灯具中的LED驱动系统，通常需要使用LED驱动芯片对LED进行驱动，而现有LED驱动芯片大多为低压芯片设计，这种低压驱动芯片耐压性差、散热效果不好。由于LED交流驱动是高压直接驱动，如果延用通用的封装设计将会导致设计不符合安规要求，特别是引脚大于8个时，更是难于满足安规与散热要求，没有相匹配的封装。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种可以满足高耐压、高散热、多引脚及安规要求的用于LED交流驱动高压芯片的封装结构。

为了实现上述目的，本发明提供一种用于LED交流驱动高压芯片的封装结构，其包括呈矩形的芯片本体，芯片本体的背面设置有多个超高压引脚、多个高压引脚、多个低压引脚，超高压引脚设置于芯片本体背面的上边，高压引脚设置于芯片本体背面的左边和右边，低压引脚设置于芯片本体背面的下边，超高压引脚之间的间距、高压引脚之间的间距、超高压引脚与散热片之间的间距、高压引脚与散热片之间的间距均大于低压引脚之间的间距；芯片本体的背面的基底贴合有散热片。

较佳地，所述超高压引脚之间的间距为1.5mm，超高压引脚与散热片之间的间距为1.5mm。

较佳地，所述高压引脚之间的间距为1.5mm，高压引脚与散热片之间的间距为1.25mm。

较佳地，所述芯片本体采用QFN封装。

本发明有益效果在于：本发明用于LED交流驱动高压芯片的封装结构，其包括呈矩形的芯片本体，芯片本体的背面设置有多个超高压引脚、多个高压引脚、多个低压引脚，超高压引脚设置于芯片本体背面的上边，高压引脚设置于芯片本体背面的左边和右边，低压引脚设置于芯片本体背面的下边，超高压引脚之间的间距、高压引脚之间的间距、超高压引脚与散热片之间的间距、高压引脚与散热片之间的间距均大于低压引脚之间的间距，即超高压引脚之间的间距、高压引脚之间的间距、超高压引脚与散热片之间的间距、高压引脚与散热片之间的间距都较大，从而使本发明的芯片满足耐压及安规要求；芯片本体的背面的基底贴合有散热片，使本发明的芯片可通过散热片快速散热，提高散热效率、改善散热效果。

附图说明

图1为本发明的俯视图。

图2为本发明的仰视图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

请参考图1和图2，本发明用于LED交流驱动高压芯片的封装结构，其包括呈矩形的芯片本体1，芯片本体1的背面设置有多个超高压引脚2（即PIN）、多个高压引脚3、多个低压引脚4，超高压引脚2设置于芯片本体1背面的上边，高压引脚3设置于芯片本体1背面的左边和右边，低压引脚4设置于芯片本体1背面的下边，超高压引脚2之间的间距、高压引脚3之间的间距、超高压引脚2与散热片5之间的间距、高压引脚3与散热片5之间的间距均大于低压引脚4之间的间距，即超高压引脚2之间的间距、高压引脚3之间的间距、超高压引脚2与散热片5之间的间距、高压引脚3与散热片5之间的间距都较大，其中，低压引脚4之间的间距为常规低压的引脚设计，例如：低压引脚4之间的间距e为0.65mm或0.5mm，从而使本发明的芯片满足耐压及安规要求；芯片本体1的背面的基底贴合有散热片5，散热片5可通过导热硅胶等方式贴合在芯片本体1的背面的基底，使本发明的芯片可通过散热片5快速散热，提高散热效率、改善散热效果。

更具体地说，本发明超高压引脚2之间的间距（即pitch，为两个引脚的中心点之间的间距）e1为1.5mm（毫米），超高压引脚2与散热片5之间的间距k1为1.5mm，可满足500V（伏）耐压安规要求；高压引脚3之间的间距e2为1.5mm，高压引脚3与散热片5之间的间距k2为1.25mm，可满足400V耐压安规要求；而低压引脚4之间的间距为常规低压的引脚设计，可满足本发明的芯片的各种功能PAD的需要，例如：可以连接芯片的低压PAD；其中，芯片本体1采用QFN（Quad Flat No-lead，方形扁平无引脚）封装，QFN封装为表面贴装型封装之一，也称为LCC。