[发明专利]衬底支持体、半导体制造装置在审
| 申请号： | 201310222922.2 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103484837A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 大野彰仁;川津善平 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/32;C30B25/12;C30B29/36;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 支持 半导体 制造 装置 | ||
1. 一种衬底支持体，利用化学气相生长法在衬底的表面成膜时支持衬底，所述衬底支持体的特征在于，具备：
石墨材料，具有用于容纳衬底的凹部；
多层膜，在所述凹部中重叠以SiC形成的第1防脱气膜与以TaC或者HfC形成的第1防升华膜而形成；以及
第2防脱气膜，在所述石墨材料的所述凹部以外的部分中以SiC形成。
2. 如权利要求1所述的衬底支持体，其特征在于，
所述第1防升华膜位于所述第1防脱气膜之上。
3. 如权利要求2所述的衬底支持体，其特征在于，
所述第1防升华膜具有覆盖所述第2防脱气膜的延伸部；
在所述延伸部之上，形成了以SiC形成的第3防脱气膜。
4. 如权利要求1所述的衬底支持体，其特征在于，
所述第1防脱气膜位于所述第1防升华膜之上；
所述第1防升华膜的一部分，在所述第2防脱气膜与所述石墨材料之间形成。
5. 如权利要求4所述的衬底支持体，其特征在于，
在所述凹部的所述第1防脱气膜之上具备以TaC或者HfC形成的第2防升华膜。
6. 一种衬底支持体，利用化学气相生长法在衬底的表面成膜时支持衬底，所述衬底支持体的特征在于，具备：
石墨材料，具有用于容纳衬底的凹部；
多层膜，以覆盖所述石墨材料的方式，将以SiC形成的防脱气膜与以TaC或者HfC形成的防升华膜交替任意数量地重叠而形成。
7. 一种半导体制造装置，其特征在于，具备：
权利要求1～6的任一项所述的衬底支持体。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
