[发明专利]节材型电感式镇流器或变压器磁芯体的结构有效
申请号: | 201310223234.8 | 申请日: | 2013-06-06 |
公开(公告)号: | CN103310955A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 温博;温建民 | 申请(专利权)人: | 温博 |
主分类号: | H01F27/26 | 分类号: | H01F27/26;H01F27/245;H01F38/10 |
代理公司: | 无锡华源专利事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 冯智文 |
地址: | 214142 江苏省无锡市新区硕放工业集中区B21号*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 节材型 电感 镇流器 变压器 磁芯体 结构 | ||
技术领域
本发明涉及电感型镇流器或变压器,尤其涉及电感型镇流器或变压器的磁芯体。
背景技术
现有市场照明用镇流器分为两大类:电感式和电子式。电子式镇流器由于使用寿命较短以及高频谐波干扰等问题,所以市场大多采用的仍然是电感式镇流器。电感式镇流器按照磁芯体结构基本分为两类:E字型和C字型。C字型镇流器由于加工工艺复杂以及价格较贵等问题,目前国内仍以E字型镇流器为市场主流产品。
本申请人申请的中国专利CN202796350U《进一步节材节能的电感镇流器或变压器磁芯体的结构》公开了一种E十字型磁芯体结构,其由四个相同的单元模块拼合而成,为正方形磁芯体,且拼合后的磁芯体中部带有实心凸台,所述单元模块由若干折弯后的E字形硅钢片按长短顺序相叠而成,每一片所述E字形硅钢片沿着其中指的中心线折弯成90°,单元模块中相叠合的所有E字形硅钢片,形状结构不变,但尺寸有所改变,且尺寸的改变仅仅在于中指的宽度从第二片开始相对第一片的中指宽度依次增加,即相邻的E字形硅钢片中,后一片E字形硅钢片相对于前一片E字形硅钢片,其中指宽度有所增加,而其他尺寸保持不变。
在达到同样磁通量的条件下,上述结构的正方形磁芯体相对于传统的矩形截面的磁芯体,缩小了磁路周长,减少了磁损耗,节约了一定量的硅钢片钢材,同时还减少了线圈周长及线圈铜材,减少自身电阻,降低能耗,能够实现节能节材的双重效果。该磁芯体的结构是由四个相同的单元模块拼合而成,而所述单元模块的厚度相当于磁芯体侧壁长度的二分之一,是单元模块中叠合起来的所有E字形硅钢片的厚度之和,在申请人的上述专利中,假设一个单元模块由29片E字形硅钢片叠合而成,则上述结构的正方形磁芯体需要相应的29副冲切模具,如此需要较多数量的模具,生产成本较高。另外,上述结构的正方形磁芯体的中心凸台为实心结构,其相对于矩形截面的中空形凸台而言,在相同磁通面积的情况下,可以节约线圈材料,申请人在进一步地试验中,将上述结构的正方形截面的磁芯体的中心凸台制成中空凸台,当上下两瓣结构对称的E十字形磁芯体扣合构成所述磁路闭合的磁芯体时,相对应的上下磁芯体侧壁之间留有磁隙,经测试,发现磁芯体的磁通量因线圈的集肤效应,其减少量微乎其微甚至没有变化,在相同或相近电感量的情况下,可以更进一步节约硅钢片材料,并且增加了磁芯体的散热面积。
发明内容
本申请人在上述试验的基础上,提供一种节材型电感式镇流器或变压器磁芯体的结构,其相对于中国专利CN202796350U,在达到电功能基本相同的条件下,该结构得到的电感式镇流器或变压器磁芯体,可以进一步节约硅钢片材料,并可减少冲切不同尺寸硅钢片所需的模具数量,从而进一步降低生产成本,同时增加了散热面积,可有效提高产品使用寿命。
本发明的技术方案如下:
节材型电感式镇流器或变压器磁芯体的结构,所述磁芯体为E十字形结构,其特征在于: 包括单元模块一及单元模块二,单元模块一由E字形硅钢片叠合而成,单元模块二由半框形硅钢片叠合而成,其中:
单元模块一的构成如下:以第一片E字形硅钢片作为基准片,所述基准片的上指、下指分别与其中指之间设有凹槽,沿中指的中心线将所述基准片折弯成90°;从第二片E字形硅钢片开始,E字形硅钢片中指的宽度依次增加,其他尺寸不变,并将第二片E字形硅钢片及之后的各E字形硅钢片,依次沿其中指中心线折弯成90°;将折弯的所述基准片、中指宽度依次增加后所得折弯的E字形硅钢片按长短顺序叠合,集合成磁芯体的单元模块一;
单元模块二的构成如下:由相同的半框形硅钢片叠合而成,所述半框形硅钢片的内指与外指之间设有凹槽,所述凹槽的宽度与单元模块一的所述凹槽的宽度一致;
四个单元模块一及四个单元模块二拼合,构成所述E十字形磁芯体,四个单元模块一分别构成所述E十字形磁芯体的四个带有缺口的角部,单元模块二嵌合在每相邻两个单元模块一之间,且单元模块二的所述凹槽与其两侧的单元模块一的所述凹槽互相衔接,形成所述E十字形磁芯体的嵌线凹槽;单元模块二的内指一侧与单元模块一的中指一侧形成所述E十字形磁芯体中部的中空凸台。
进一步的技术方案在于:
所述基准片中指的高度大于所述基准片上指及下指的高度;所述半框形硅钢片的内指的高度大于其外指的高度。
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