[发明专利]存储器控制方法、存储器控制器以及电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种闪存的错误处理装置与方法，特别涉及一种多维度闪存的错误处理装置与方法。

背景技术

闪存等非易失性存储器近年来快速发展，并且出现在各式各样的电子装置。目前看来，接下来不管是容量或是技术的发展，还会继续加强。一旦越来越多的数据被放在这类的非易失性存储器，为了确保储存数据的正确性与安全性，提供有效而且可靠的错误侦测与错误管理也就越来越重要。

发明内容

本发明的一实施例公开了一种存储器控制方法，用于控制闪存。所述闪存包含第一存储元件与第二存储元件，所述第二存储元件包含多个区块，每一所述区块包含多个数据页。在这个存储器控制方法中，首先，将一原始数据写入到所述第一存储元件。并且，从所述第一存储元件读取所述原始数据得到一输入数据，所述输入数据包含多个输入数据列。此外，将所述多个输入数据列分成多个数据组。将每一所述数据组对应的每一所述输入数据列写到所述第二存储元件对应的一个所述数据页。并且，将对应每一所述数据组的一校验列写到所述第二存储元件对应的一个所述数据页，其中，每一所述数据组对应的所述数据列的数目小于所述第二存储元件每一所述区块具有的所述数据页的数目。

本发明的另一实施例公开了一种存储器控制器，用于控制一闪存。所述闪存包含一第一存储元件与一第二存储元件，所述第二存储元件包含多个区块，每一区块包含多个数据页，所述存储器控制器包含第一存储元件写入器、读取器跟第二存储元件写入器。第一存储元件写入器将一原始数据写入到所述第一存储元件。读取器从所述第一存储元件读出所述原始数据并产生一输入数据，所述输入数据包含多个输入数据列。

第二存储元件写入器将所述多个输入数据列分成多个数据组，将每一所述数据组对应的所述多个输入数据列写到所述第二存储元件对应的所述多个数据页，以及将对应每一所述数据组对应的一校验列写到所述第二存储元件对应的所述数据页，其中，每一所述数据组对应的所述多个输入数据列的数目小于所述第二存储元件每一所述区块具有的所述数据页的数目。

本发明的另一实施例公开了一种电子装置，具有闪存跟控制器。闪存包含一第一存储元件与一第二存储元件，所述第二存储元件包含多个区块，每一区块包含多个数据页。

存储器控制器，用于控制所述闪存。所述存储器控制器具有第一存储元件写入器、一读取器，以及第二存储元件写入器。第一存储元件写入器，将一输入数据写入到所述第一存储元件。读取器从所述第一存储元件读出所述待输入数据，所述输入数据包含多个输入数据列。第二存储元件写入器将所述多个输入数据列分成多个数据组，将每一数据组对应的所述多个输入数据列写到所述第二存储元件对应的所述多个数据页，以及将对应每一数据组的一校验列写到所述第二存储元件对应的所述数据页，其中，每一所述数据组对应的所述多个输入数据列数目小于所述第二存储元件每一所述区块具有的数据页数目。

本发明的另一实施例公开了一种存储器控制方法，用于控制一闪存。所述闪存包含一存储元件，所述存储元件包含多个区块，每一区块包含多个数据页。所述存储器控制方法包含下列步骤。

读取一数据组设定，所述数据组设定指示一个数据组包含的多个数据列的一数目，每一数据列存储于对应的一个所述数据页，并且所述数据组的所述多个输入数据列的数目少于每一所述区块所拥有的多个数据页个数。根据所述资料组设定，从所述存储元件读取对应一个所述数据组的所述多个数据列以及一校验列。此外，利用所述校验列对读取的所述多个数据列执行错误侦测及更正。

附图说明

图1绘示了一个与非门结构闪存的存储元件的一个区块。

图2是一个三层单元的闪存存储单元存放电量和操作电压的示意图。

图3绘示了对存储单元施加操作电压所可能发生的情形。

图4绘示了在一次的读取操作时，依序使用七个不同的电压对存储单元执行读取操作。

图5绘示了用来找中间有效位的方法。

图6绘示了用来找最高有效位的方法。

图7绘示了一个使用闪存的电子装置的范例。

图8绘示了一个具有阶层式存储元件结构的闪存结构。

图9绘示了在多层单元闪存内的数据存放格式。

图10绘示了第二种配对数据跟校验数据的方法。

图11绘示了第三种配对数据跟校验码的方法。

图12是图8之中的数据从单层存储单元读出之后写到多层存储单元的流程图。

图13是图8之中的数据从单层存储单元读出之后写到多层存储单元的示意图。