[发明专利]光刻系统光源对称性的检测方法

权利要求书

1.一种光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，包括：

提供第一掩膜，所述第一掩膜上具有若干第一标记图形和若干第二标记图形，所述第一标记图形和所述第二标记图形具有若干呈行列排布的子图形，所述第二标记图形的各行子图形的节距与所述第一标记图形对应列的子图形的节距相等；

提供第二掩膜，所述第二掩膜上具有若干第一标记图形和若干第二标记图形，且所述第二掩膜上的第一标记图形的位置与所述第一掩膜上的第二标记图形的位置相对应，所述第二掩膜上的第二标记图形的位置与所述第一掩膜上的第一标记图形的位置相对应；

采用所述第一掩膜在第一晶圆上形成第一底层重叠对准标记，采用所述第二掩膜在所述第一底层重叠对准标记上形成第一顶层重叠对准标记；

采用所述第二掩膜在第二晶圆上形成第二底层重叠对准标记，采用所述第一掩膜在第二底层重叠对准标记上形成第二顶层重叠对准标记；

测量所述第一顶层重叠对准标记与所述第一底层重叠对准标记的第一重叠偏移量，测量所述第二顶层重叠对准标记与所述第二底层重叠对准标记的第二重叠偏移量；

对所述第一重叠偏移量和所述第二重叠偏移量进行数据处理，计算出由于光源不对称性导致的重叠偏移量。

2.如权利要求1所述的光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，所述第一标记图形的每一列内子图形的节距相等。

3.如权利要求2所述的光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，所述第一标记图形各列子图形的节距随列数递增或者递减。

4.如权利要求1所述的光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，所述第二标记图形的每一行内子图形的节距相等。

5.如权利要求4所述的光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，所述第二标记图形各行子图形的节距随行数递增或者递减。

6.如权利要求1所述的光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，所述第一掩膜包括两个第一标记图形和两个第二标记图形，所述第一标记图形和所述第二标记图形呈田字形排列，且所述第一标记图形位于所述田字形排列的第一对角线两端，所述第二标记图形位于所述田字形排列的第二对角线两端。

7.如权利要求6所述的光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，所述第二掩膜包括两个第一标记图形和两个第二标记图形，所述第一标记图形和所述第二标记图形呈田字形排列，且所述第一标记图形位于所述田字形排列的第二对角线两端，所述第二标记图形位于所述田字形排列的第一对角线两端。

8.如权利要求1所述的光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，对所述第一重叠偏移量和所述第二重叠偏移量进行数据处理包括：

从所述第一重叠偏移量和所述第二重叠偏移量中去除由于重叠量测系统导致的重叠偏移量；

从所述第一重叠偏移量和所述第二重叠偏移量中去除由于光刻系统导致的重叠偏移量；

从所述第一重叠偏移量和所述第二重叠偏移量中去除由于掩膜导致的重叠偏移量；

再去除由于掩膜制作导致的重叠偏移量，剩余的重叠偏移量即为由于光源不对称性导致的重叠偏移量。

9.如权利要求8所述的光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，从所述第一重叠偏移量和所述第二重叠偏移量中去除由于光刻系统导致的重叠偏移量包括：将所述第一重叠偏移量和所述第二重叠偏移量中测量具有相同节距的顶层重叠对准标记和底层重叠对准标记获得的重叠偏移量，进行多项式拟合获得光刻系统导致的重叠偏移量；从所述第一重叠偏移量和所述第二重叠偏移量中减去所述光刻系统导致的重叠偏移量。

10.如权利要求8所述的光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，通过计算第一重叠偏移量与第二重叠偏移量差值的一半从所述第一重叠偏移量和所述第二重叠偏移量中去除由于掩膜导致的重叠偏移量。

11.如权利要求8所述的光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，通过计算相邻重叠对准矩阵对应的重叠偏移量之间的差值的一半去除由于掩膜制作导致的重叠偏移量。