[发明专利]接地屏蔽结构及半导体器件

权利要求书

1.一种接地屏蔽结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上方的介质层；

多个间隔排列的导电环，位于衬底或介质层内，任意两个所述导电环中，一个导电环被另一个导电环包围；

每个所述导电环包括多个间隔排列的子导电环，任意两个所述子导电环中，一个子导电环被另一个子导电环包围，同一所述导电环中相邻两个所述子导电环之间的间距小于相邻两个所述导电环之间的间距；

接地环，与所有所述子导电环电连接。

2.根据权利要求1所述的接地屏蔽结构，其特征在于，

所述子导电环为：位于衬底内的第一有源区环；

或者，所述子导电环为：位于所述介质层内的多晶硅环，所述多晶硅环与衬底之间被介质层隔开；

或者，所述子导电环为：位于所述介质层内的第一金属环，所述第一金属环与衬底之间被所述介质层隔开；

或者，所述子导电环包括：位于所述介质层内的多晶硅环和第一金属环，所述第一金属环位于多晶硅环上方，且所述第一金属环和多晶硅环在衬底表面上的投影交叠，所述多晶硅环与第一金属环之间通过第一导电插塞电连接，所述多晶硅环与衬底之间被介质层隔开。

3.根据权利要求2所述的接地屏蔽结构，其特征在于，

当所述子导电环为多晶硅环时，所述接地屏蔽结构还包括：位于衬底内的第二有源区环，所述第二有源区环和多晶硅环在衬底表面上的投影交叠，且所述第二有源区环和多晶硅环之间被介质层隔开；

当所述子导电环为第一金属环时，所述接地屏蔽结构还包括：位于衬底内的第二有源区环，所述第二有源区环和第一金属环之间被所述介质层隔开；

当所述子导电环包括多晶硅环和第一金属环时，所述接地屏蔽结构还包括：位于衬底内的第二有源区环，所述第二有源区环、多晶硅环和第一金属环在衬底表面上的投影交叠，且所述第二有源区环和多晶硅环之间被介质层隔开。

4.根据权利要求2所述的接地屏蔽结构，其特征在于，当所述子导电环包括所述多晶硅环和第一金属环时，所述第一金属环的宽度小于多晶硅环的宽度。

5.根据权利要求2所述的接地屏蔽结构，其特征在于，所述接地环包括：位于所述衬底内的第三有源区环，所述第三有源区环在衬底表面上的投影将所有所述子导电环在衬底表面上的投影包围起来。

6.根据权利要求5所述的接地屏蔽结构，其特征在于，还包括：互连线，位于所述介质层内；

所述接地环与子导电环之间通过所述互连线电连接。

7.根据权利要求6所述的接地屏蔽结构，其特征在于，所述接地环还包括：位于所述第三有源区环上方且位于介质层内的第二金属环，所述第二金属环与所述互连线电连接，所述第三有源区环与第二金属环之间通过第二导电插塞电连接。

8.根据权利要求7所述的接地屏蔽结构，其特征在于，所述第一金属环、第二金属环和互连线位于同一平面上，且所有所述第一金属环、第二金属环和互连线为一体结构。

9.根据权利要求6所述的接地屏蔽结构，其特征在于，每个所述子导电环的形状为长方形、六边形、八边形或圆形。

10.根据权利要求9所述的接地屏蔽结构，其特征在于，每个所述子导电环具有2个开口，每个子导电环被所述2个开口分割为2个子导电环单元，且所有子导电环的开口位于同一条直线上；

位于所述开口一侧的所有子导电环单元与一条互连线电连接，位于所述开口另一侧的所有子导电环单元与另一条互连线电连接；

所述子导电环单元与互连线电连接的位置位于子导电环单元的二分之一处。

11.根据权利要求1所述的接地屏蔽结构，其特征在于，所述导电环的数量为2至100个，每个导电环所包含的子导电环的数量为2至10个。

12.根据权利要求1所述的接地屏蔽结构，其特征在于，相邻两个所述导电环之间的间距为2微米至10微米，同一所述导电环中，相邻两个所述子导电环之间的间距为0.01微米至2微米。

13.根据权利要求1所述的接地屏蔽结构，其特征在于，所述导电环的宽度为0.1微米至100微米，所述子导电环的宽度为0.01微米至2微米。