[发明专利]半导体测试结构及其测试方法

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：

第一测试结构，所述第一测试结构包括：第一鳍部、横跨所述第一鳍部的第一栅极结构、位于所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内的第一源/漏极、分别连接所述第一栅极结构和第一源/漏极的第一测试端；

第二测试结构，所述第二测试结构包括：第二鳍部、横跨所述第二鳍部的若干平行分布的第二栅极结构、位于所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内的第二源/漏极、分别连接所述第二栅极结构和第二源/漏极的第二测试端。

2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二栅极结构的数量为两个以上。

3.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一栅极和第二栅极结构采用相同的工艺形成，具有相同的尺寸；所述第一鳍部和第二鳍部具有相同的宽度和高度。

4.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，还包括：第三测试结构，所述第三测试结构包括：若干平行分布的第三鳍部、横跨所有第三鳍部的若干平行分布的第三栅极结构、位于所述第三栅极结构两侧的第三鳍部内的第三源/漏极、分别连接所述第三栅极结构和第三源/漏极的第三测试端。

5.根据权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，所述若干第三鳍部采用相同的工艺同时形成，并且具有相同的尺寸。

6.根据权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，所述若干第三栅极结构采用相同的工艺，并且具有相同的尺寸。

7.根据权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第三栅极结构的数量与第二栅极结构的数量相同。

8.根据权利要求4所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第三鳍部与第二鳍部的形成工艺和尺寸相同。

9.一种半导体测试结构的测试方法，其特征在于，包括：

提供权利要求1至权利要求8任一项中所述的半导体测试结构；

测试所述第一测试结构中鳍式场效应晶体管的第一电性参数的数值，其中，所述第一电性参数与所述鳍式场效应管受到的相邻器件的应力对应；

选择第二测试结构中的一个第二栅极结构作为第一测试栅极，其余第二栅极结构作为伪栅极，测试并获得该测试栅极对应的第二鳍式场效应晶体管的第二电性参数的数值，所述第二电性参数与第一电性参数为相同的电性参数；

比较所述第一电性参数的数值和第二电性参数的数值，获得鳍式场效应晶体管相邻的伪栅极数量对于第二电性参数的数值的影响。

10.根据权利要求9所述的半导体测试结构的测试方法，其特征在于，所述第一电性参数包括：饱和电流或工作频率。

11.根据权利要求9所述的半导体测试结构的测试方法，其特征在于，还包括：

选择第二测试结构中与第一测试栅极不同位置处的第二栅极结构作为测试栅极，其余第二栅极结构作为伪栅极，分别测试所述第二测试栅极对应的不同鳍式场效应晶体管的第二电性参数的数值；

比较所述不同鳍式场效应晶体管的第二电性参数的数值，获得被测鳍式场效应晶体管的第二电性参数的数值与被测鳍式场效应晶体管相邻的伪栅极数量的关系。

12.根据权利要求9所述的半导体测试结构的测试方法，其特征在于，还包括：

选择第三测试结构中不同位置处的第三栅极结构作为测试栅极，分别测试并获得所述不同位置处的第三栅极结构所对应的不同鳍式场效应晶体管的多个第三电性参数数值；

比较不同鳍式场效应晶体管的第三电性参数数值，获得鳍式场效应晶体管的第三电性参数随鳍式场效应晶体管相邻的伪栅极数量变化的数值；

比较第二测试结构中的鳍式场效应晶体管的第二电性参数数值和第三测试结构中鳍式场效应晶体管的第三电性参数数值，获得鳍式场效应晶体管的电性参数数值与相邻的第三鳍部数量的关系。

13.根据权利要求11所述的半导体测试结构的测试方法，其特征在于，对被测鳍式场效应晶体管的形成工艺和特征尺寸进行调整，消除与所述鳍式场效应晶体管相邻的伪栅极的数量对于第二电性参数的影响。

14.根据权利要求12所述的半导体测试结构的测试方法，其特征在于，对被测鳍式场效应晶体管的形成工艺和特征尺寸进行调整消除与所述鳍式场效应晶体管相邻的伪栅极的数量以及第三鳍部数量对于第三电性参数数值的影响。