[发明专利]改善4 inch GaN基外延片内均匀性和波长集中度的方法无效
| 申请号： | 201310224374.7 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103337570A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 杨奎;牛勇;吴礼清;李刚;蒋利民;郭丽彬 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 inch gan 外延 均匀 波长 集中 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善4 inch GaN基外延片内均匀性和波长集中度的方法，所述GaN基外延片从下向上的顺序依次为：衬底层、缓冲层、不掺杂的高温GaN层、Si掺杂的n型GaN层、多量子阱发光层、低温P型GaN层、 P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，其特征在于，其中缓冲层的生长步骤如下：
（1）将4 inch衬底在氢气气氛下，高温清洁衬底表面后，进行氮化处理；
（2）氮化处理结束后，进行固定AL组分的ALxGa1-xN缓冲层的生长，厚度保持在0-10 nm之间，其中0.05<x<0.25；
（3）固定AL组分的ALxGa1-xN缓冲层的生长结束后进行GaN薄层的生长，厚度保持在0-5 nm之间；
(4)进行上述（2）、（3）步骤的交替生长，进行5~20个循环；
（5）上述生长的缓冲层结束后，进行其它各层的生长。
2.根据权利要求1所述的改善4 inch GaN基外延片内均匀性和波长集中度的方法，其特征在于，所述缓冲层在生长过程时，生长压力控制在400-760 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在50-3000之间。
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