[发明专利]集中式电子存储介质数据同步擦除方法无效
申请号: | 201310224606.9 | 申请日: | 2013-06-06 |
公开(公告)号: | CN103295587A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 韩冰;张彤;尤俊生;王孝余;尚方;刘生;钟志琛 | 申请(专利权)人: | 国家电网公司;黑龙江省电力科学研究院;厦门市美亚柏科信息股份有限公司 |
主分类号: | G11B5/024 | 分类号: | G11B5/024 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 张果瑞 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集中 电子 存储 介质 数据 同步 擦除 方法 | ||
1.集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,它包括下述步骤:
步骤一、对电子存储介质进行识别,再对电子存储介质的磁盘基本信息进行检测,获得电子存储介质已使用时间和健康状态;
步骤二、根据电子存储介质健康状态进行处理,具体过程为:
当电子存储介质健康状态表示该电子存储介质已损坏且无法进行擦除处理时,则执行步骤三,
当电子存储介质健康状态表示该电子存储介质存在HPA隐藏扇区时,则执行步骤四,
当电子存储介质健康状态表示该电子存储介质存在DCO隐藏扇区时,则执行步骤五,
步骤三、对电子存储介质进行消磁处理,消磁完成后,执行步骤七;
步骤四、当需要删除HPA隐藏扇区时,执行步骤九,当不需要删除HPA隐藏扇区时,执行步骤十;
步骤五、当需要删除DCO隐藏扇区时,执行步骤六,当不需要删除DCO隐藏扇区时,执行步骤十;
步骤六、删除DCO隐藏扇区,执行步骤十;
步骤七、生成报告清单,执行步骤八;
步骤八、完成擦除操作;
步骤九、删除HPA隐藏扇区,执行步骤十;
步骤十、对电子存储介质进行数据擦除后,执行步骤十一,所述的数据擦除采用多线程技术实现多路电子存储介质同步擦除;
步骤十一、对电子存储介质进行格式化后,执行步骤七。
2.根据权利要求1所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,步骤十中所述的多路电子存储介质是指大于2路少于29路。
3.根据权利要求1所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的步骤十中数据擦除的方式包括快速擦除、BMB21-2007擦除、DOD5220.22-M(8-306/E,C and E)擦除或DOD5220.22-M(8-306/E)擦除。
4.根据权利要求1所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的步骤一中的电子存储介质为SATA硬盘、SAS硬盘、USB磁盘、IDE硬盘或SCSI硬盘。
5.根据权利要求1所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的步骤一中电子存储介质的磁盘基本信息包括设备类型、磁盘容量和索引号。
6.根据权利要求3所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的快速擦除是使用0x00擦除一次。
7.根据权利要求3所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的BMB21-2007擦除、DOD5220.22-M(8-306/E,C and E)擦除和DOD5220.22-M(8-306/E)擦除均是使用自定义字符进行擦除。
8.根据权利要求7所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的自定义字符范围从0x00到0xFF。
9.根据权利要求7所述的集中式电子存储介质数据同步擦除方法,其特征在于,所述的自定义字符进行擦除的擦除次数范围为大于0小于等于99。
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