[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示装置的对组方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示装置，尤其涉及该薄膜晶体管液晶显示装置的对组方法。

背景技术

当前，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）主要包括多晶硅技术与非晶硅技术的两种制造流程。其中，多晶硅技术尤以低温多晶硅（Low Temperature Poly-Silicon，LTPS）液晶晶体管液晶显示器越来越受到业界的青睐。

与传统的非晶硅显示器相比，LTPS TFT-LCD由于晶体管的电子迁移率高出非晶硅显示器约100倍以上，其反应速度更快、亮度和解析度更高、开口率更大，并可呈现较佳的画面品质。例如，迁移率较高意味着产品可使用几何尺寸较小的晶体管，因而能够提供足够的充电能力，光穿透的有效面积更大。此外，LTPS的硅结晶排列较非晶硅（a-Si）有次序，因而可将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上，可节省空间及驱动IC的成本。

上述的像素开口率是指除去每个像素的配线部、晶体管部（通常采用黑色矩阵隐藏）之后的光穿透面积与每个像素的整体面积之间的比例。开口率越高，光线通过部分的面积越大，光穿透的效率就越高。然而，在现有技术中，薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）基板/彩色滤光片基板（Color Filter，CF）进行对组时，虽然大基板可根据对位标记进行精确地对准，但是，大基板上的诸多小芯片在对组制程中会出现大小变化、旋转、变形等问题，如此一来，这些芯片的对组精度往往无法控制且不一定最佳，进而影响到产品的开口率。

有鉴于此，如何设计一种薄膜晶体管液晶显示装置的对组方法，对现有的对组方式进行改进，通过调整薄膜晶体管基板/彩色滤光片基板的相对位置，通过最佳对组效果来达成最大的开口率，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。

发明内容

针对现有技术中的薄膜晶体管液晶显示装置在进行基板对组时所存在的上述缺陷，本发明提供了一种新颖的、薄膜晶体管液晶显示装置的对组方法。

依据本发明的一个方面，提供了一种薄膜晶体管液晶显示装置的对组方法，该薄膜晶体管液晶显示装置包括相对设置的一薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）基板和一彩色滤光片（Color Filter，CF）基板，该对组方法包括以下步骤：

提供一第一标记组件，并且将所述第一标记组件的两个对位标记分别设置于所述TFT基板一侧和所述CF基板一侧；

调整所述TFT基板与所述CF基板的相对位置，使所述第一标记组件的两个对位标记进行对准；

提供多个第二标记组件，并且将每个第二标记组件的两个对位标记分别设置于所述TFT基板一侧和所述CF基板一侧；

调整所述TFT基板与所述CF基板的相对位置，使每个第二标记组件的两个对位标记进行对准；

设置一电荷耦合元件（Charge Coupled Device，CCD）阵列于所述TFT基板的下表面；

将光线垂直投射至所述CF基板的上表面；以及

微调所述TFT基板与所述CF基板的相对位置，使所述电荷耦合元件阵列获得最大的光透过量，从而完成对组。

优选地，在所述第一标记组件中，设置于所述CF基板一侧的对位标记的中部具有一方形缺口，且设置于所述TFT基板一侧的对位标记的形状与所述方形缺口相匹配。

优选地，在所述第二标记组件中，设置于所述CF基板一侧的对位标记的中部具有一方形缺口，且设置于所述TFT基板一侧的对位标记的形状与所述方形缺口相匹配。

在其中的一实施例中，所述第二标记组件与所述TFT基板上的芯片一一对应。

在其中的一实施例中，在水平平面的第一方向上，所述TFT基板和所述CF基板的相对位置的位移调整量介于0.4微米至1微米之间。优选地，所述TFT基板和所述CF基板的相对位置的位移调整量为0.7微米。

在其中的一实施例中，在水平平面的第二方向上，所述TFT基板和所述CF基板的相对位置的微调位移为2.5微米。

优选地，所述电荷耦合元件阵列为n×n的矩阵，其中，每一列中的电荷耦合元件串联连接，其中n为大于或等于3的自然数。

优选地，所述薄膜晶体管液晶显示装置为低温多晶硅（Low Temperature Poly-Silicon，LTPS）薄膜晶体管液晶显示器。