[发明专利]半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

至少一第二场区，包括：

一主晶粒(dies)阵列，每一晶粒具有一高度Y₁以及一宽度X₁，且该主晶粒阵列具有一高度Y₃，以及

至少一第一场区，包括：

一监视区，具有一高度Y₂及一宽度X₂，以及

一辅助晶粒区，包括一辅助晶粒阵列；

其中：

X₂＝n₁×X₁+adjustment₁、

Y₂＝n₃×Y₁+adjustment₃

Y₃＝n₄×Q+adjustment₄；

n₁、n₃与n₄为整数；以及

Q为Y₂的一因子；以及

而且其中这些高度包括于该半导体装置的一平面中一第一方向所制成的个别量度，以及这些宽度包括于该半导体装置的该平面中一第二方向所制成的个别量度，该第二方向是与该第一方向正交。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中Q为Y₂的一适当因子。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中Q＝Y₂。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中Y₂与Y₃为相对质数。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一场区包括多个晶粒，该多个晶粒是依该第一及第二方向的至少其一延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，更包括介于至少该主晶粒阵列及该辅助晶粒阵列的每一列及每一栏之间的多个划线，每一个划线具有一宽度s，其中：

adjustment₁＝(n₁-1)×s；

adjustment₃＝(n₃-1)×s；以及

adjustment₄＝(n₄-1)×s。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第一场区更包括具有一高度Y₂及一宽度X₃的一测试芯片区，其中：

X₃＝n₂×X₁+adjustment₂，且n₂为一整数。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，更包括n₄-1个额外的第一场区，该多个第一场区是沿着与其个别高度对应的一轴线而互相相邻地排列，以形成一延伸第一场区，该延伸第一场区包括具有一高度Y₃的一延伸监视区及具有一高度Y₃的一延伸辅助晶粒区。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中该延伸第一场区包括一第一延伸第一场区，该半导体装置更包括至少一第二延伸第一场区，该第一及该第二延伸第一场区是沿着与其高度对应的一轴线排列。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，更包括第三、第四、及第五延伸第一场区，该第三延伸第一场区是沿着与该第一及该第二延伸第一场区的高度对应的该轴线排列，以及该第四及该第五延伸第一场区是排列在该第二延伸第一场区的任一侧，且是沿着与该第二、该第四及该第五延伸第一场区的个别宽度对应的一轴线排列。