[发明专利]一种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置有效
| 申请号： | 201310225116.0 | 申请日： | 2013-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103312273A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 吴志坚;李成恩 | 申请（专利权）人： | 三维通信股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/20 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈继亮 |
| 地址： | 310053 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 功率放大器 温度 效应 抑制 电路 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，主要包括微控制器MCU、电源模块、限流电阻R0、三极管T1、T2、分压电阻R、NTC电阻R3和LDMOS功率放大器，其特征是：电源模块通过限流电阻R0和三极管T1、T2，与分压电阻R和NTC电阻R3相连，再一起与LDMOS功率放大器的管脚1连通，LDMOS功率放大器的管脚2接地，管脚3为射频输出端，电源模块与微控制器MCU连通。
2.根据权利要求1所述的LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，其特征是：所述限流电阻R0和三极管T1、T2的基级之间连接有分压电阻R1、R2。
3.根据权利要求1或2所述的LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，其特征是：所述三极管T1、T2的发射极接地。
4.根据权利要求1所述的LDMOS功率放大器温度效应抑制的电路装置，其特征是：所述LDMOS功率放大器的管脚1为射频信号输入端，射频信号通过电容C从LDMOS功率放大器的管脚1输入。
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