[发明专利]半导体封装中的CTE适配

权利要求书

1.一种器件，包括：

半导体器件，在所述半导体器件的第一表面上具有至少一个电接触；

导电重分布层；以及

电介质层，被布置在所述第一表面和重分布层的表面之间，所述电介质层具有延伸穿过电介质层并且将所述至少一个电接触电耦合于重分布层的至少一个互连，

其中，所述电介质层具有垂直于所述第一表面的方向上的热膨胀系数（CTE）值和杨氏模量，

其中，所述电介质层的CTE值小于第一阈值，以及

其中，所述电介质层的杨氏模量大于第二阈值，

其中，确定所述电介质层的材料和厚度来增大其在平行于所述第一表面的方向上的热膨胀系数（CTE）值，同时保持所述电介质层的在垂直于所述第一表面的方向上的热膨胀系数（CTE）值接近于所述至少一个互连的热膨胀系数（CTE）值。

2.如权利要求1所述的器件，进一步包括，电耦合于所述重分布层的至少一个焊球，其中所述重分布层被布置在电介质层和所述至少一个焊球之间。

3.如权利要求2所述的器件，进一步包括，电耦合于所述至少一个焊球的电路板，其中所述至少一个焊球被布置在重分布层和所述电路板之间。

4.如权利要求1所述的器件，其中，所述重分布层是扇入重分布层和扇出重分布层之一。

5.如权利要求1所述的器件，其中，所述第一阈值是32ppm每摄氏度。

6.如权利要求1所述的器件，其中，所述第二阈值是25GPa。

7.如权利要求1所述的器件，

其中，所述电介质层在平行于第一表面的方向上面对第一表面的表面处具有第一CTE值，以及在平行于第一表面的方向上面对所述重分布层的表面的表面处具有第二CTE值，

其中，所述电介质层的第一CTE值小于4ppm每摄氏度，并且

其中，所述电介质层的第二CTE值大于6ppm每摄氏度。

8.如权利要求7所述的器件，其中，所述电介质层的厚度小于100微米。

9.一种器件，包括：

半导体器件，在所述半导体器件的第一表面上具有至少一个电接触；

导电重分布层；以及

电介质层，被布置在所述第一表面和重分布层的表面之间，所述电介质层具有延伸穿过电介质层并且将所述至少一个电接触电耦合于重分布层的至少一个互连，

其中，所述电介质层具有垂直于所述第一表面的方向上的热膨胀系数（CTE）值和杨氏模量，

其中，所述电介质层的CTE值和所述至少一个互连的CTE值之间的差异小于第一阈值，以及

其中，所述电介质层的杨氏模量大于第二阈值，

其中，确定所述电介质层的材料和厚度来增大其在平行于所述第一表面的方向上的热膨胀系数（CTE）值，同时保持所述电介质层的在垂直于所述第一表面的方向上的热膨胀系数（CTE）值接近于所述至少一个互连的热膨胀系数（CTE）值。

10.如权利要求9所述的器件，进一步包括，电耦合于所述重分布层的至少一个焊球，其中所述重分布层被布置在电介质层和所述至少一个焊球之间。

11.如权利要求10所述的器件，进一步包括，电耦合于所述至少一个焊球的电路板，以使得所述焊球被布置在重分布层和所述电路板之间。

12.如权利要求10所述的器件，其中，所述重分布层是扇入重分布层和扇出重分布层之一。

13.如权利要求9所述的器件，其中，所述第一阈值是15ppm每摄氏度。

14.如权利要求9所述的器件，其中，所述第二阈值是25GPa。

15.如权利要求9所述的器件，

其中，所述电介质层在平行于第一表面的方向上面对第一表面的表面处具有第一CTE值，以及在平行于第一表面的方向上面对所述重分布层的表面的表面处具有第二CTE值，

其中，所述电介质层的第一CTE值小于4ppm每摄氏度，并且

其中，所述电介质层的第二CTE值大于6ppm每摄氏度。

16.如权利要求15所述的器件，其中，所述电介质层的厚度小于100微米。