[发明专利]用于制造传感器载体的方法、传感器载体和传感器

权利要求书

1.用于制造传感器载体（4）的方法，具有下面的方法步骤：

a）提供粉末混合物，所述粉末混合物按预定的混合比例具有ZrO₂、SiO₂和堇青石；

b）将粉末混合物研磨和/或均匀化为使得粉末混合物具有10μm的最大粒度；

c）由粉末混合物成型生坯；

d）将导电结构（9）施加到生坯上；

e）将生坯反应烧结成由硅酸锆-堇青石-陶瓷制成的传感器载体（4），其中所述导电结构（9）烧结成气密的金属组织。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在方法步骤（d）和（e）之间实施下面的方法步骤：

d₁）将生坯布置在模型中；

d₂）用粉末混合物填满生坯，使得导电结构被粉末混合物包围并且形成最终的生坯。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述粉末混合物具有20-40体积百分比堇青石，尤其是35体积百分比堇青石。

4.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，提供SiO₂作为无定形玻璃粉并且提供具有小于15μm粒度的ZrO₂。

5.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在氧化性条件下在燃烧炉中在1320－1380摄氏度下以1－4K/min的加热速率和4－8小时、尤其是5小时的保持时间来进行反应烧结。

6.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，将处理的粉末混合物通过干压、热浇注、粉末压铸或薄膜浇注来进行成型。

7.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，经研磨和/或均匀化的粉末混合物利用有机粘结剂聚合物和软化剂在直至150℃的温度下通过锻造被处理并且粒化。

8.由硅酸锆-堇青石-陶瓷制成的传感器载体（4），

具有导电结构（9），其伸展在传感器载体（4）上和/或伸展通过传感器载体（4）。

9.根据权利要求8所述的传感器载体（4），其特征在于，导电结构（9）由玻璃层覆盖并且绝缘。

10.根据权利要求8或9所述的传感器载体（4），其特征在于，导电结构（9）由传感器载体（4）至少部分地密闭地包围。

11.根据权利要求8-10之一所述的传感器载体（4），其特征在于，导电结构（9）由铂和/或钯构造。

12.根据权利要求8-11之一所述的传感器载体（4），其特征在于，传感器载体（4）具有在3.5*10^－6K^－1和4.5*10^－6K^－1 (20-500℃)之间的热膨胀系数。

13.传感器（1），

具有根据权利要求8-12之一所述的传感器载体（4），

并且具有传感器元件（8），所述传感器元件固定在传感器载体（4）上并且与导电结构（9）电耦合。

14.根据权利要求14所述的传感器（1），其特征在于，

传感器单元（8）利用玻璃焊料（10）被固定在传感器载体（4）上，该玻璃焊料具有在3.5*10^－6K^－1和4.5*10^－6K^－1(20-500℃)之间的热膨胀系数。

15.根据权利要求13或14所述的传感器载体（1），其特征在于，传感器载体（4）被水冷却的传感器壳体（2，5）包围。