[发明专利]薄膜场效应晶体管及其驱动方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201310226377.4 | 申请日： | 2013-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103311312A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 吴博;祁小敬 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 场效应 晶体管 及其 驱动 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜场效应晶体管，包括栅极金属层及半导体层，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管还包括：
导流层，所述栅极金属层与所述半导体层之间形成电场时，所述导流层与所述栅极金属层之间形成电场，利用所述导流层与所述栅极金属层之间的电场，所述半导体层累积加强所述栅极金属层与所述半导体层之间电场的电子或空穴。
2.如权利要求1所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述栅极金属层与所述导流层之间的电场方向和所述栅极金属层与所述半导体层之间的电场方向相同。
3.如权利要求2所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，当所述栅极金属层接入导通工作电压时，所述导流层接入第一电压，所述栅极金属层与所述导流层之间的电场方向和所述栅极金属层与所述半导体层之间的电场方向相同；当所述栅极金属层接入关闭工作电压时，所述导流层接入第二电压，所述栅极金属层与所述导流层之间的电场方向和所述栅极金属层与所述半导体层之间的电场方向相同。
4.如权利要求3所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管为N型，所述导通工作电压为正电压，所述关闭工作电压为负电压，所述第一电压和所述第二电压均为处于所述导通工作电压与所述关闭工作电压之间的其中一电压值。
5.如权利要求3所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管为P型，所述导通工作电压为负电压，所述关闭工作电压为正电压，所述第一电压值和所述第二电压值均为处于所述导通工作电压与所述关闭工作电压之间的其中一电压值。
6.如权利要求4或5所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述第一电压和所述第二电压相等，均为零。
7.如权利要求1-5任一所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述半导体层位于所述栅极金属层和所述导流层之间。
8.如权利要求7所述的薄膜场效应晶体管，其特征在于，所述半导体层与所述栅极金属层之间设置有第一绝缘层，所述半导体层和所述导流层之间设置有第二绝缘层。
9.一种薄膜场效应晶体管的驱动方法，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管包括导流层，所述驱动方法包括：
所述栅极金属层接入导通工作电压或关闭工作电压，所述栅极金属层与所述半导体层之间形成电场时，所述导流层接入预定电压，使所述导流层与所述栅极金属层之间也形成电场，利用所述导流层与所述栅极金属层之间的电场，所述半导体层累积加强所述栅极金属层与所述半导体层之间电场的电子或空穴。
10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上设置有如权利要求1至8任一项所述的薄膜场效应晶体管。
11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括屏蔽金属层，所述屏蔽金属层形成为所述导流层。
12.如权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽金属层接地连接。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10至12任一项所述的阵列基板。
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