[发明专利]封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种封装结构的形成方法，包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底的第一表面上方形成第一介电层；

在所述第一介电层上方形成图案化的牺牲层，所述图案化的牺牲层具有形成在其中的开口；

在所述图案化的牺牲层的开口中形成导电柱；

在所述图案化的牺牲层上方形成第二衬底；

在所述第二衬底中形成通孔；

在所述第二衬底上形成一个或多个再分配层；

将一个或多个集成电路管芯电连接到所述导电柱，所述集成电路管芯连接到所述第二衬底的与所述导电柱相对的一侧，所述一个或多个再分配层夹置在所述集成电路管芯和所述第二衬底之间；

在电连接之后，去除所述第一衬底；

在所述一个或多个集成电路管芯的下方放置模制底层填料，并且放置模塑料以包围所述模制底层填料和所述一个或多个集成电路管芯；以及

去除所述图案化的牺牲层，以暴露所述导电柱的侧壁，其中，所述导电柱的顶面的尺寸与所述通孔的底部的尺寸相同。

2.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，进一步包括：将所述第二衬底分割成多个衬底。

3.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，进一步包括：在形成所述图案化的牺牲层之前，在所述第一介电层上方形成导电层，其中，形成所述图案化的牺牲层包括暴露所述导电层的部分。

4.根据权利要求3所述的封装结构的形成方法，其中，形成所述导电柱包括：将所述导电层用作晶种层。

5.根据权利要求3所述的封装结构的形成方法，其中，利用释放膜将所述导电层附接到所述介电层。

6.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，进一步包括：

在去除所述图案化的牺牲层之后，在所述导电柱上形成电连接件。

7.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，进一步包括：

在去除所述第一衬底之后，在所述导电柱上形成电连接件；以及

在形成所述电连接件之后，去除所述牺牲层。

8.一种封装结构的形成方法，包括：

提供接合到第二载体衬底的第一载体衬底；

在所述第一载体衬底和所述第二载体衬底上方分别形成第一牺牲层和第二牺牲层；

图案化所述第一牺牲层和所述第二牺牲层以形成开口；

用导电材料填充所述开口，从而形成柱状物；

在所述第一牺牲层和所述第二牺牲层上方分别提供第一中介层衬底和第二中介层衬底；

在所述第一中介层衬底和所述第二中介层衬底中分别形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔电接触所述开口中对应的导电材料；

在所述第一中介层衬底上方形成一个或多个第一再分配层(RDL)且在所述第二中介层衬底上方形成一个或多个第二再分配层；

将所述第一载体衬底和所述第二载体衬底分离开；

将一个或多个集成电路管芯附接到所述第一中介层衬底；

在将一个或多个集成电路管芯附接到所述第一中介层衬底之后，将所述第一载体衬底和所述第一中介层衬底分离开；

在所述一个或多个集成电路管芯下方放置模制底层填料，并且放置模塑料以包围所述模制底层填料和所述一个或多个集成电路管芯；以及

去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，以暴露所述柱状物的侧壁，其中，所述柱状物的顶面的尺寸分别与对应的所述第一通孔和所述第二通孔的底部的尺寸相同。

9.根据权利要求8所述的封装结构的形成方法，进一步包括：分别形成介于所述第一载体衬底与所述第一牺牲层之间的介电层以及所述第二载体衬底与所述第二牺牲层之间的介电层。

10.根据权利要求8所述的封装结构的形成方法，进一步包括：在形成所述第一牺牲层之前，在所述第一载体衬底上方提供第一导电层，并且填充所述开口包括将所述第一导电层用作晶种层。