[发明专利]薄膜晶体管和有源矩阵有机发光二极管组件及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵有机发光二极管组件，包括衬底和位于所述衬底上的多个像素，每个像素至少包括有机发光二极管、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，

所述第二薄膜晶体管用于驱动所述有机发光二极管，

所述第一薄膜晶体管用于驱动所述第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括位于所述衬底之上的缓冲层、位于所述缓冲层上的半导体层、覆盖所述半导体层的栅绝缘层、及位于所述栅绝缘层上的栅电极，其中所述缓冲层包括氮化硅层和所述氮化硅层上的氧化硅层，所述氧化硅层的上表面利用O₂、N₂、NH₃、H₂之一进行处理，所述半导体层包括第一导电类型的源区和漏区，以及

所述半导体层还包括在所述半导体层底部的位于所述源区和所述漏区之下的第二导电类型的底部掺杂区，其中所述底部掺杂区的杂质浓度大于9x10¹⁴/cm²，且所述底部掺杂区与所述缓冲层邻接。

2.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管组件，其中所述半导体层为低温多晶硅薄膜。

3.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管组件，还包括：

数据线；

与所述数据线交叉的栅极线；

存储电容器，

其中，所述第一薄膜晶体管与所述栅极线、数据线及所述第二薄膜晶体管的栅极电连接，所述存储电容器的一端与所述第二薄膜晶体管的栅极电连接。

4.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管组件，其中所述栅绝缘层包括氧化硅层和位于所述氧化硅层上的氮化硅层。

5.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管组件，其中所述半导体层还包括栅电极与源区之间及栅电极与漏区之间的轻掺杂漏极区。

6.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管组件，其中所述第一薄膜晶体管和/或第二薄膜晶体管包括多个栅电极。

7.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管组件，其中所述衬底包括玻璃衬底和柔性衬底中的一种。

8.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管组件，其中所述第一导电类型为N型和P型中的一种，所述第二导电类型为N型和P型中的另一种。

9.一种薄膜晶体管，用作有源矩阵有机发光显示器中的开关元件，包括：

衬底；

位于衬底上的氧化硅层，所述氧化硅层的上表面利用O₂、N₂、NH₃、H₂之一进行处理；

位于氧化硅层上的半导体层，包括第一导电类型的源区和漏区；

覆盖所述半导体层的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上的栅电极，

其中，所述半导体层还包括在所述半导体层底部的位于所述源区和所述漏区之下的第二导电类型的底部掺杂区，其中所述底部掺杂区的杂质浓度大于9x10¹⁴/cm²，且所述底部掺杂区与所述氧化硅层邻接。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层为低温多晶硅薄膜。

11.一种制造有源矩阵有机发光二极管组件的方法，包括：

准备其上具有缓冲层的衬底；

在形成所述缓冲层之后，利用O₂、N₂、NH₃和H₂之一对所述缓冲层的上表面进行处理；

在所述缓冲层上形成第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层用于第一薄膜晶体管，所述第二半导体层用于第二薄膜晶体管；

在所述第一半导体层和第二半导体层之上形成栅绝缘层以及第一栅电极和第二栅电极；

离子注入第二导电类型的杂质到所述第一半导体层的底部，从而形成位于所述第一薄膜晶体管的预定的源区和漏区下面的第二导电类型的底部掺杂区，其中所述底部掺杂区的杂质浓度大于9x10¹⁴/cm²，且所述底部掺杂区与所述缓冲层邻接；及

离子注入第一导电类型的杂质到所述第一半导体层中，从而形成所述第一薄膜晶体管的源区和漏区。