[发明专利]一种离体乳腺腺体的介电特性分析方法有效

专利信息
申请号: 201310226905.6 申请日: 2013-06-07
公开(公告)号: CN103323670A 公开(公告)日: 2013-09-25
发明(设计)人: 董秀珍;蔡占秀;史学涛;付峰;季振宇 申请(专利权)人: 中国人民解放军第四军医大学
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02;G01R27/26
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 汪人和
地址: 710032 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 乳腺 腺体 特性 分析 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于生物组织介电特性分析技术领域,涉及一种离体乳腺腺体的介电特性分析方法。

背景技术

自20世纪初以来,人们开展了大量有关人和脊椎动物电导率和介电常数的测量。组织的介电特性与组织成分、结构、脂肪和水含量,以及组织的生理学改变(例如:水肿、局部贫血、细胞增值等)有关。尽管生物电阻抗特性本身并不是生理参数,但由于其可以反映包括细胞数量、细胞形状、细胞方向及细胞间隙和细胞质的离子浓度在内的一系列生物物理学参数改变信息,所以具有与生理学和病理学相同的价值。

目前,关于乳腺离体组织的介电特性分析多局限于将乳腺简单划分为正常组织和病变组织后进行介电特性分析,个别小组即使细分到腺体等类型也都是简单的将所有腺体归为一类,在腺体内部尚未进行更深入的分析,造成不同小组测量结果一致性低、同类型组织数据离散型大,为进一步研究乳腺器官的介电特性造成很大困扰。

发明内容

本发明解决的问题在于提供一种离体乳腺腺体的介电特性分析方法,在腺体内部进一步细分,并在切片引导下分析不同年龄段腺体的介电特性。

本发明是通过以下技术方案来实现:

一种离体乳腺腺体的介电特性分析方法,包括以下操作:

1)将分离的乳腺组织修剪后置于测量盒中,测量盒的两端留有安放电极片的插槽,中间留有电极针插孔;然后将测量盒置于温度37℃,湿度95%RH以上的温控箱中;

2)将阻抗分析仪与测量盒相连接后,进行乳腺组织的阻抗值的测量:采用四电极法对数扫描方式对1Hz~1MHz频率范围内,多点处的阻抗值进行测量;然后再采用两电极法对数扫描方式对40Hz~10MHz范围内,多点处的阻抗值进行测量;

阻抗值测量结束后,对测量的组织进行切片处理;

3)将阻抗分析仪所测的阻抗值转化为电导率,以四电极法和两电极法所得的公共频率4kHz~40kHz内的电导率为基础得到拟合系数;

在10Hz~4kHz范围内,将四电极法所得电导率与拟合系数相乘得到拟合曲线的低频值;

在4kHz~40kHz范围内,则利用拟合系数对四电极法和两电极法所得电导率进行加权拟合;

在40kHz~10MHz范围内,直接以两电极法所测电导率作为拟合曲线的高频部分;

4)通过切片分析腺体组织性质,并结合切片信息分析乳腺腺体组织的电导率特性。

所述在阻抗值的测量时,将Solartron1294与1260阻抗分析仪连接后,然后再将Solartron1294阻抗分析仪与测量盒相连接,采用四电极法对数扫描方式对1Hz~1MHz频率范围内,测量51个点处的阻抗值;

将Agilent4294阻抗分析仪与测量盒相连接,采用两电极法对数扫描方式对40Hz~10MHz范围内,测量55个点处的阻抗值。

所述乳腺组织的阻抗值的测量控制在组织离体20min之内。

所述的阻抗值转化为电导率是通过以下公式来进行:

σ=d/Rs,其中σ为电导率,d为组织的长度,R为阻抗值,s为组织的横截面积。

所述在4kHz~40kHz范围内的加权拟合,是将四电极法和两电极法的同一频率下的结果利用凸组合原理整合作为该频率的电导率。

所述的切片处理是将测量的组织用固定液固定后石蜡包埋,然后切片并用HE染色;

所述的固定液是由pH7~7.4的磷酸盐缓冲液配制的10%的福尔马林液。

所述通过切片分析腺体组织性质,若腺体组织为正常的腺体组织则进行其电导率特性分析,否则将不进行电导率特性分析。

所述是将分析不同年龄段的乳腺腺体组织在病理切片上的不同,与不同年龄段的介电特性结果联系在一起,分析不同年龄段的乳腺腺体组织的介电特性的不同。

与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:

本发明提供的离体乳腺腺体的介电特性分析方法,从离体乳腺中分离正常腺体组织,在切片引导下单独定性分析单纯性的腺体组织,同时在腺体内部结合切片信息进一步分析不同年龄段腺体的电导率特性。该方法操作规范,严格控制实验条件,实验结果准确可靠。通过该方法,可以对腺体组织介电特性有更加系统的认识,从而为进一步分析乳腺其他结构或全面分析乳腺器官介电特性提供指导。

本发明提供的离体乳腺腺体的介电特性分析方法,采用多仪器平行测量,既拓宽了频率范围,也消除了低频接触阻抗和极化电压的影响,同时还降低了高频杂散电容的影响。

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