[发明专利]单片式清洗设备及其清洗方法

权利要求书

1.一种单片式清洗设备，其特征在于，包括：

旋转夹盘，用于固定半导体衬底，并带动所述半导体衬底进行旋转；

位于所述半导体衬底上的喷嘴，用于将清洗液注入到所述的旋转的半导体衬底上；

位于所述半导体衬底上的含有负压装置的制具，用于将清洗液从所述的旋转的半导体衬底上吸走；

时间控制装置，用于控制制具或喷嘴的开启或闭合，和/或控制制具和喷嘴之间进行交替工作的时间；其中，

所述制具不与所述喷嘴接触，所述喷嘴位于所述半导体衬底上方且对应于所述制具区域外的区域，所述喷嘴底部高于所述制具底部所在平面；所述制具的形状为扇形；所述扇形的一端的边缘与所述旋转夹盘的中心对齐或超出，另一端的边缘超出所述半导体衬底的边缘。

2.根据权利要求1所述的单片式清洗设备，其特征在于，所述的制具与所述半导体衬底相对的表面上且对应于所述半导体衬底上部分布有微孔。

3.根据权利要求2所述的单片式清洗设备，其特征在于，所述微孔之间的间距是所述微孔孔径的1-10倍。

4.根据权利要求2所述的单片式清洗设备，其特征在于，所述微孔的孔径为2-5mm。

5.根据权利要求1或2所述的单片式清洗设备，其特征在于，所述制具的长度为12-30cm。

6.根据权利要求1或2所述的单片式清洗设备，其特征在于，所述制具的宽度为1-5cm。

7.根据权利要求1所述的单片式清洗设备，其特征在于，所述为扇形的制具的圆心角为30-180度。

8.根据权利要求1所述的单片式清洗设备，其特征在于，所述的制具与所述半导体衬底的距离为1-5mm。

9.一种采用上述权利要求1-8任一项所述的单片式清洗设备进行的单片式清洗方法，其特征在于，包括：

步骤S01：将半导体衬底放置于旋转夹盘上，开启时间控制装置，所述半导体衬底进行旋转；

步骤S02：采用时间控制装置，控制喷嘴将清洗液持续地或间歇地注入到所述的旋转的半导体衬底上；

步骤S03：采用时间控制装置，经一定的间隔停止时间，含有负压装置的制具在一定的负压下将所述的旋转的半导体衬底内部和表面的清洗液吸走；其中，所述制具吸走所述清洗液的流速为所述喷嘴注入所述清洗液的流速的0.3至0.9倍；

步骤S04：采用时间控制装置，经一定的间隔工作时间，所述制具停止工作；

步骤S05：重复循环上述步骤S03和S04，所述循环次数不小于3次；

步骤S06：清洗完毕，关闭时间控制装置。

10.根据权利要求9所述的单片式清洗方法，其特征在于，所述步骤S04中，所述制具的负压装置关闭，从而使所述制具停止工作。

11.根据权利要求9所述的单片式清洗方法，其特征在于，在所述步骤S06中，采用所述清洗液对所述的旋转的半导体衬底清洗完毕之后，提高所述半导体衬底的旋转速度，和/或采用所述制具喷出气体对所述的旋转的半导体衬底进行干燥处理。

12.根据权利要求9所述的单片式清洗方法，其特征在于，所述制具的间隔工作时间为3-60秒，间隔停止时间为3-60秒。

13.根据权利要求9所述的单片式清洗方法，其特征在于，所述制具采用的负压为-5到-15PSI。

14.根据权利要求9所述的单片式清洗方法，其特征在于，所述半导体衬底的转速为200-1000r/min。