[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310228162.6 申请日: 2013-06-08
公开(公告)号: CN103346172A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 陈剑辉;李锋;沈燕龙;赵文超;李高非;胡志岩;熊景峰 申请(专利权)人: 英利集团有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 071051 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种异质结太阳能电池,包括TCO(50),以及形成在所述TCO(50)上的栅极(60),其特征在于,所述栅极(60)部分延伸进入所述TCO(50)中。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述栅极(60)具有一端宽一端窄的结构,所述栅极(60)的宽端延伸进入所述TCO(50)中。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述栅极(60)呈梯形结构。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述栅极(60)中延伸进入所述TCO(50)中的第一部分与位于所述TCO(50)外部的第二部分的高度比为1/1000~1/100。

5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述栅极(60)中所述第一部分的高度与所述TCO(50)的厚度之间的比值为0.1~0.9。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的异质结太阳能电池,其特征在于,所述异质结太阳能电池包括衬底(10),所述TCO(50)设置在所述衬底(10)的正面和/或背面,所述栅极位于所述TCO(50)远离所述衬底(10)的一侧。

7.一种异质结太阳能电池的制备方法,包括:

提供衬底(10);

在所述衬底上方形成TCO(50);以及

在所述TCO(50)上形成栅极(60),

其特征在于,在所述TCO(50)上形成栅极(60)的步骤中,所述栅极(60)部分延伸进入所述TCO(50)中。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述TCO(50)上形成栅极(60)的步骤包括:

在所述TCO(50)上刻蚀形成凹槽;

在所述凹槽中形成所述栅极(60),以使所述栅极(60)部分延伸进入所述TCO(50)中。

9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述TCO(50)包括第一TCO(51)和第二TCO(52),在所述衬底上方形成TCO(50),以及在所述TCO(50)上形成的栅极(60)的步骤包括:

在所述衬底上形成所述第一TCO(51);

在所述第一TCO(51)上形成所述栅极(60);以

在所述第一TCO(51)上,围绕所述栅极(60)形成所述第二TCO(52),以使所述栅极(60)部分延伸进入所述TCO(50)中。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述TCO(50)形成在所述衬底的正面和/或背面上方,所述栅极形成在所述TCO(50)远离所述衬底(10)的一侧上,并朝向所述衬底的方向部分延伸进入所述TCO(50)中。

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