[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：

第III族氮化物半导体层；

与所述半导体层接触的p电极；

覆盖所述p电极的主表面的至少一部分的覆盖层；和

覆盖所述覆盖层的主表面的至少一部分的接合层，其中所述覆盖层包括由具有高于-100kJ/摩尔的氧化物形成自由能的金属形成的第一金属覆盖层。

2.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述覆盖层包括设置在所述p电极与所述第一金属覆盖层之间的第二金属覆盖层，并且所述第二金属覆盖层由具有-500kJ/摩尔至-100kJ/摩尔的氧化物形成自由能的金属形成。

3.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其包括覆盖所述半导体层的p型接触层的主表面的外周部的绝缘层，其中所述p电极覆盖所述半导体层的所述p型接触层的所述主表面的中央部并且还覆盖所述绝缘层的至少一部分，并且所述覆盖层覆盖所述p电极的所述主表面的至少一部分。

4.根据权利要求3所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述覆盖层覆盖所述p电极的所述主表面和侧表面。

5.根据权利要求3所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述覆盖层覆盖所述绝缘层的至少一部分，但不覆盖所述p电极的所述主表面的中央部。

6.根据权利要求2所述的第III族氮化物半导体发光器件，其包括覆盖所述半导体层的p型接触层的主表面的外周部的绝缘层，其中所述p电极覆盖所述半导体层的所述p型接触层的所述主表面的中央部并且还覆盖所述绝缘层的至少一部分，并且所述覆盖层覆盖所述p电极的所述主表面的至少一部分。

7.根据权利要求6所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述覆盖层覆盖所述p电极的所述主表面和侧表面。

8.根据权利要求6所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述覆盖层覆盖所述绝缘层的至少一部分，但不覆盖所述p电极的所述主表面的中央部。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述接合层具有200℃或更高的熔点。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述覆盖层设置为不接触所述半导体层。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第一金属覆盖层由Pt、Au、Rh、Ag以及Pd中的任意金属形成。

12.根据权利要求11所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第二金属覆盖层由Cu、Co、Cd、Zn以及Ni中的任意金属形成。

13.根据权利要求12所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述覆盖层设置为不接触所述半导体层。

14.根据权利要求13所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述接合层具有200℃或更高的熔点。

15.一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：

在生长衬底上生长半导体层的步骤；

在所述半导体层上形成电极的步骤；

形成覆盖所述电极的覆盖层的步骤；

在所述覆盖层上形成第一接合层的步骤；

在支承衬底上形成第二接合层的步骤；以及

通过将所述第一接合层接合至所述第二接合层来将所述生长衬底接合至所述支承衬底的步骤，其中在所述覆盖层形成步骤中，形成具有高于-100kJ/摩尔的氧化物形成自由能的第一金属覆盖层；以及在所述衬底接合步骤中，将所述衬底在200℃或更高的温度下保持100分钟或更长时间。

16.根据权利要求15所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述覆盖层形成步骤包括在所述电极和所述第一金属覆盖层之间形成具有-500kJ/摩尔至-100kJ/摩尔的氧化物形成自由能的第二金属覆盖层。

17.根据权利要求15或16所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中，在所述衬底接合步骤中，将由不同材料形成的所述衬底彼此接合。