[发明专利]跨线结构及电子装置

权利要求书

1.一种跨线结构，其特征在于，包括第一导线、绝缘层及第二导线；

其中，所述第一导线沿第一方向延伸，所述第二导线沿第二方向延伸，所述绝缘层设在所述第一导线及所述第二导线之间；

所述绝缘层包括相对的第一表面及第二表面，所述第一表面上开设有第一凹槽，所述第一凹槽沿第一方向延伸并贯穿所述绝缘层，所述绝缘层通过所述第一凹槽卡设于所述第一导线上；

所述第二导线靠近所述绝缘层第二表面的一侧上开设有第二凹槽，所述第二凹槽沿第一方向延伸并贯穿所述第二导线，所述第二导线通过所述第二凹槽卡设于所述绝缘层第二表面上。

2.根据权利要求1所述的跨线结构，其特征在于，所述绝缘层沿第一方向的宽度小于所述第一导线沿第一方向的宽度，所述绝缘层沿第二方向的宽度大于所述第一导线沿第二方向的宽度；所述第二导线沿第一方向的宽度小于所述绝缘层沿第一方向的宽度，所述第二导线沿第二方向的宽度大于所述绝缘层沿第二方向的宽度。

3.根据权利要求1所述的跨线结构，其特征在于，所述第一凹槽沿第三方向的高度与所述第一导线沿第三方向的高度相同，所述第二凹槽沿第三方向的高度与所述绝缘层沿第三方向的高度相同，所述第一凹槽沿第二方向的宽度与所述第一导线沿第二方向的宽度相同，所述第二凹槽沿第二方向的宽度与所述绝缘层沿第二方向的宽度相同。

4.根据权利要求1所述的跨线结构，其特征在于，所述绝缘层第一凹槽的槽底与所述绝缘层第二表面之间的距离为0.5μm～3μm。

5.根据权利要求4所述的跨线结构，其特征在于，所述第一导线沿第三方向的高度为10nm～20μm，所述第二凹槽的槽底与所述第二导线远离所述绝缘层的一侧之间的距离为10nm～20μm。

6.根据权利要求1所述的跨线结构，其特征在于，所述第一导线的导电材料为金属单质、合金、金属氧化物、碳纳米管、石墨烯及有机导电高分子中的至少一种，所述第二导线的导电材料为金属单质、合金、金属氧化物、碳纳米管、石墨烯及有机导电高分子中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的跨线结构，其特征在于，所述绝缘层的材质为光阻剂。

8.根据权利要求7所述的跨线结构，其特征在于，所述光阻剂的曝光波长为200nm～400nm，粘度为200cps～20000cps。

9.根据权利要求7所述的跨线结构，其特征在于，所述光阻剂为正型光阻剂，所述正型光阻剂包括如下重量份数的各组分：

30～50份成膜树脂、1～10份感光剂、10～40份溶剂、0.1～5份稳定剂、0.1～5份流平剂、0.1～5份消泡剂；

其中，所述成膜树脂为PMMA与线性酚醛树脂中的至少一种，

所述感光剂为重氮苯醌、重氮萘醌酯、聚乙烯醇肉桂酸酯与聚肉桂叉丙二酸乙二醇酯聚酯中的至少一种，

所述溶剂为四氢呋喃、甲基乙基酮、环己酮、丙二醇、N,N-二甲基甲酰胺、乙二醇乙醚乙酸酯、乙酸乙酯与乙酸丁酯中的至少一种，

所述稳定剂为对苯二酚、对甲氧基苯酚、对苯醌、2,6一二叔丁基甲苯酚、酚噻嗪与蒽醌中的至少一种，

所述流平剂为聚丙烯酸酯、醋酸丁酸纤维、硝化纤维素与聚乙烯醇缩丁醛中的至少一种，

所述消泡剂为磷酸酯、脂肪酸酯与有机硅中的至少一种；

所述正型光阻剂各组分的份数之和为100。