[发明专利]一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法

权利要求书

1.一种减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，其特征在于，该方法是利用顶栅金属作为掩膜保护顶栅金属下栅介质，对石墨烯顶栅FET器件进行腐蚀，去除栅源、栅漏间石墨烯沟道区上覆盖的栅介质，然后蒸镀一层金属覆盖栅源、栅漏间石墨烯材料上形成金属石墨烯接触，消除栅源、栅漏之间距离引入的沟道通路电阻。

2.根据权利要求1所述的减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，其特征在于，所述石墨烯顶栅FET器件包括绝缘衬底、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极，其中导电通道由石墨烯材料构成，形成于绝缘衬底上，源电极和漏电极分别形成于导电通道的两端，栅介质层覆盖在导电通道上，栅电极位于栅介质层之上，且栅介质层采用氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆或氧化钛构成。

3.根据权利要求2所述的减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，其特征在于，所述栅介质层采用氧化硅、氧化铝、氧化铪、氧化钛或氧化锆。

4.根据权利要求1所述的减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，其特征在于，所述对石墨烯顶栅FET器件进行腐蚀，采用的腐蚀液包括氢氟酸、盐酸、磷酸、硫酸、硝酸、氢氧化钾溶液或四甲基氢氧化铵。

5.根据权利要求1所述的减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，其特征在于，所述蒸镀一层金属覆盖栅源、栅漏间石墨烯材料上，蒸镀的金属包括钛和金、镍和金、钯和金、铬和金、铂和金。

6.根据权利要求5所述的减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，其特征在于，所述蒸镀金属的方法包括电子束蒸发、热蒸发或溅射。

7.根据权利要求5所述的减小石墨烯顶栅FET器件寄生电阻的方法，其特征在于，所述蒸镀金属的厚度小于栅介质层的厚度。