[发明专利]外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室无效
申请号: | 201310228590.9 | 申请日: | 2013-06-08 |
公开(公告)号: | CN103305906A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 周仁;林翔 | 申请(专利权)人: | 光垒光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C30B25/08 | 分类号: | C30B25/08;C30B25/12;C30B25/14;C30B29/38 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外延 沉积 氮化 iii ii 材料 反应 | ||
1.一种外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,包括:腔壁,所述腔壁围成一腔体空间;载片盘,所述载片盘位于所述腔体空间内;第一供气装置,所述第一供气装置用于通入III族源或II族源反应气体,所述第一供气装置包括第一出气口,所述第一出气口与所述载片盘的盘面相对设置;其特征在于,还包括:第二供气装置,所述第二供气装置用于通入氮源反应气体,所述第二供气装置包括第二出气口,所述第二出气口设置于所述载片盘周边;排气口,所述排气口位于所述载片盘中心。
2.如权利要求1所述的外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,其特征在于,所述第二供气装置还包括多个供气管,每个供气管均用于通入氮源反应气体;所述第二出气口为多个出气孔,所述多个出气孔分别位于所述多个供气管上,每个供气管穿过所述腔壁,使得每个供气管的一部分及每个供气管上的出气孔位于所述腔体空间内,多个出气孔均匀设置于所述载片盘周边。
3.如权利要求1所述的外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,其特征在于,所述第二供气装置还包括均气管及进气管,所述均气管设置在所述腔体空间内,所述均气管围绕设置在所述载片盘周围,所述进气管穿过腔壁进入所述腔体空间内,并与所述均气管连接,所述进气管用于通入氮源反应气体,所述均气管用于均匀化通入氮源反应气体,所述第二出气口为绕所述载片盘周围均匀分布在所述均气管面向所述载片盘的内侧的多个出气孔,或,所述第二出气口为绕所述载片盘周围设置在所述均气管面向所述载片盘的内侧的出气缝。
4.如权利要求1所述的外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,其特征在于,所述第二供气装置还包括均气管及进气管,所述均气管镶嵌于所述腔壁中,所述均气管围绕设置在所述载片盘周围,所述进气管从所述腔体空间外穿入所述腔壁,并与所述均气管连接,所述进气管用于通入氮源反应气体,所述均气管用于均匀化通入的氮源反应气体,所述第二出气口为绕所述载片盘周围均匀分布在所述均气管面向所述载片盘的内侧的多个出气孔,或,所述第二出气口为绕所述载片盘周围设置在所述均气管面向所述载片盘的内侧的出气缝。
5.如权利要求1~4中任一项所述的外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,其特征在于,所述第二供气装置还包括辅助加热装置,所述辅助加热装置用于加热氮源反应气体。
6.如权利要求5所述的外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,其特征在于,所述辅助加热装置使得所述第二出气口输出的氮源反应气体的温度与所述载片盘盘面的温度的差值小于等于5℃。
7.如权利要求1~4中任一项所述的外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,其特征在于,所述第一供气装置为一喷淋头。
8.如权利要求7所述的外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,其特征在于,所述喷淋头位于所述载片盘沿竖直方向的上方。
9.如权利要求7所述的外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,其特征在于,所述喷淋头位于所述载片盘沿竖直方向的下方。
10.如权利要求7所述的外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,其特征在于,所述喷淋头与载片盘的盘面之间的距离为3-20毫米。
11.如权利要求9所述的外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,其特征在于,所述载片盘通过机械或者静电吸附的方式承载晶片。
12.如权利要求1~4中任一项所述的外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,其特征在于,所述氮源气体为NH3;所述III族源或II族源反应气体为三甲基镓。
13.如权利要求1~4中任一项所述的外延沉积氮化III族或氮化II族材料的反应腔室,其特征在于,还包括:加热器,所述加热器用于加热载片盘。
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