[发明专利]静电吸盘的制造方法，静电吸盘及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种静电吸盘的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

制造静电吸盘的主体部和基座，其中制造所述主体部的步骤包括：

步骤S11：形成陶瓷基板及薄膜电极，所述薄膜电极嵌设于所述陶瓷基板中或形成于所述陶瓷基板的上方；

步骤S12：在所述陶瓷基板及薄膜电极上沉积抗等离子侵蚀的保护层；以及

步骤S13：图形化所述保护层的上表面以形成所述静电吸盘的主体部；以及

将所述主体部和所述基座连接为一体以形成所述静电吸盘。

2.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料选自陶瓷。

3.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化钇或氧化钇/氧化铝复合材料。

4.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过增强型等离子体物理沉积工艺形成所述保护层。

5.根据权利要求4所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为大于等于0.1毫米。

6.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层包覆所述陶瓷基板的侧壁。

7.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述薄膜电极的材料为金属或金属合金，通过真空镀膜技术形成所述薄膜电极。

8.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，步骤S12包括：

在所述陶瓷基板及薄膜电极上沉积多层薄膜结构，所述多层薄膜结构至少包括所述保护层和功能层，所述功能层用于调节所述静电吸盘的性能，所述保护层为所述多层薄膜结构的顶层。

9.根据权利要求8所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述薄膜电极形成于所述陶瓷基板的上方，所述多层薄膜结构自下而上包含绝缘层、所述功能层和所述保护层。

10.根据权利要求8所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述功能层为加热层或电阻层。

11.根据权利要求8所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述功能层的材料为金属或金属合金。

12.根据权利要求10所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过真空镀膜技术形成所述功能层。

13.根据权利要求9所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为陶瓷，通过热喷涂形成所述绝缘层。

14.根据权利要求8所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过增强型等离子体物理沉积工艺形成所述多层薄膜结构。

15.根据权利要求1所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述薄膜电极形成于所述陶瓷基板的上方，其中步骤S11包括：

形成所述陶瓷基板；

在所述陶瓷基板上依次形成第一绝缘层、加热层以及第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成所述薄膜电极。

16.根据权利要求15所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料选自陶瓷。

17.根据权利要求15所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化钇或氧化钇/氧化铝复合材料。

18.根据权利要求15所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，通过增强型等离子体物理沉积工艺形成所述保护层。

19.根据权利要求18所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层的厚度为大于等于0.1毫米。

20.根据权利要求15所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述保护层包覆所述陶瓷基板的侧壁。

21.根据权利要求15所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述薄膜电极和所述加热层的材料为金属或金属合金，通过真空镀膜技术形成所述薄膜电极和所述加热层。

22.根据权利要求15所述的静电吸盘的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为绝热陶瓷，所述第二绝缘层的材料为导热陶瓷。